MTx800 MFx800 MT800, módulos de tiristores/diodos, enfriamiento por agua

refrigeración por agua

MTx800 MFx800 MT800, Módulos de Tiroistro/Diodo, Enfriamiento por agua

Las instalaciones de la categoría M2 incluidas en el anexo II se considerarán instalaciones de la categoría M3 con una capacidad de carga de hasta 300 kW.

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

folleto del producto:Descargar

Introducción
el esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

breve introducción

Modulo de tiristoro/diodoe, MTx800 MFx800 MT810,800A,refrigeración por agua，Producido por TECHSEM.

breve introducción

Modulo de tiristoro/diodoe, MTx800 El número de personas800 El800，800A,refrigeración por agua，Producido por TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo y contorno
Las demás	MT2 tecnología de la información	MFx800-06-411F3 y sus componentes
Las demás	MT2 tecnología de la información	MFx800-08-411F3 y sus componentes
Las demás	MT2 tecnología de la información	MFx800-10-411F3 y sus componentes
Las demás	MT2 tecnología de la información	MFx800-12-411F3 y sus componentes
1400V	MT2 tecnología de la información	MFx800-14-411F3 y sus componentes
1600V	MT2 tecnología de la información	MFx800-16-411F3 y sus componentes
1800V	MT2 tecnología de la información	MFx800-18-411F3 y sus componentes
1800V	MT4204 - Sistema de gestión de las emisiones de gases de efecto invernadero

MTx es el acrónimo de cualquier tipo deMTC, El MTA, El sistema de control de la

MFx es el acrónimo de cualquier tipo deMFC, el MFA, El MFK

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	valor de las			Unidad
El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	el tiempo	Tipo de producto	El máximo	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180¿ Qué?media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55°C	125			800	A
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS		125			1256	A
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			45	¿Qué quieres?
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	VR=60%VRRM, t= 10 ms medio seno	125			22.0	el
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	VR=60%VRRM, t= 10 ms medio seno	125			2420	10³A²el
VTO	Voltaje de umbral		125			0.90	V:
Rt	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			0.35	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El ITM=2400A	25			1.95	V:
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.	25	30		200	¿Qué quieres?
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	V:
IH	Corriente de mantenimiento			10		200	¿Qué quieres?
El	Corriente de retención					1000	¿Qué quieres?
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.20	V:
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.050	°C/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.024	°C/W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V:
El	El par de conexión del terminal ((M12)			12		16	Nuevo Méjico
El	El par de montaje ((M8)			10		12	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	°C
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	°C
Tc y	PESO				3230		G. El
el esquema	411F3