Las instalaciones de la categoría M2 incluidas en el anexo I se considerarán instalaciones de la categoría M3
folleto del producto:Descargar
breve introducción
Modulo de tiristoro/diodoe, MTx1000 MFx1000 MT1000,1000A,refrigeración por agua,Producido por TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tipo y contorno | |
Las demás Las demás Las demás Las demás | MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT4Más de un año | MFx800-20-411F3 y sus componentes MFx800-22-411F3 y sus componentes MFx800-25-411F3 y sus componentes |
MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, MTA,El sistema de control de la MFx es el acrónimo de cualquier tipo de MFC, MFA, MFK |
Características
aplicaciones típicas
El símbolo |
características |
Condiciones de ensayo | Tj(°C) | valor de las |
Unidad | ||
el tiempo | Tipo de producto | El máximo | |||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180¿ Qué?media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55°C |
125 |
|
| 800 | A |
IT(RMS) | Corriente de estado en RMS |
|
| 1256 | A | ||
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
|
| 50 | ¿Qué quieres? |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de | 125 |
|
| 16.0 | el |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles | 125 |
|
| 1280 | 103A2el | |
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
|
| 0.98 | V: |
Rt | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 0.35 | MΩ | ||
VTM | Voltaje pico en estado de conducción | El ITM=2400A | 25 |
|
| 2.35 | V: |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido | Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 | 30 |
| 200 | ¿Qué quieres? |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.8 |
| 3.0 | V: | ||
IH | Corriente de mantenimiento | 10 |
| 200 | ¿Qué quieres? | ||
El | Corriente de retención |
|
| 1000 | ¿Qué quieres? | ||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | V: |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.050 | °C/W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.024 | °C/W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | El valor de la carga de los gases de escape es el valor de la carga de escape de los gases de escape. |
| 3000 |
|
| V: |
El | El par de conexión del terminal ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Tc y | PESO |
|
|
| 3230 |
| G. El |
el esquema | 411F3 |
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