Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles de origen animal no deben exceder de la media de la energía de los combustibles fósiles de origen animal.
folleto del producto:Descargar
breve introducción
El tiristoroModulo de diodo, MTx500 El número de personas500 El500，500A,refrigeración por agua，Producido por TECHSEM.
Las demás Las demás Las demás Las demás 1400V 1600V 1800V 1800V | MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT3 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT4 tecnología de la información MT3 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT520-46F3G | MFx500-06-406F3 y sus componentes MFx500-08-406F3 y sus componentes MFx500-10-406F3 y sus componentes MFx500-12-406F3 y sus componentes MFx500-14-406F3 y sus componentes MFx500-16-406F3 y sus componentes MFx500-18-406F3 y sus componentes |
MTx es el acrónimo de cualquier tipo deMTC, El MTA, El sistema de control de la
MFx es el acrónimo de cualquier tipo deMFC, el MFA, El MFK
Características
aplicaciones típicas
El símbolo | características | Condiciones de ensayo | Tj(°C) | valor de las | Unidad | ||
el tiempo | Tipo de producto | El máximo | |||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180¿ Qué?media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55°C |
125 |
|
| 500 | A |
IT(RMS) | Corriente de estado en RMS |
|
| 785 | A | ||
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
|
| 35 | ¿Qué quieres? |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | VR=60%VRRM, t=10 ms medio seno, | 125 |
|
| 14.5 | el |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles | 125 |
|
| 1051 | 103A2el | |
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
|
| 0.80 | V: |
Rt | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 0.64 | MΩ | ||
VTM | Voltaje pico en estado de conducción | El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente: | 25 |
|
| 1.90 | V: |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido | Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri |
25 | 30 |
| 200 | ¿Qué quieres? |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.8 |
| 3.0 | V: | ||
IH | Corriente de mantenimiento | 10 |
| 200 | ¿Qué quieres? | ||
El | Corriente de retención |
|
| 1000 | ¿Qué quieres? | ||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | V: |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.085 | 。C/W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.040 | 。C/W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx) |
| 3000 |
|
| V: |
El | El par de conexión del terminal ((M12) |
|
| 12 |
| 14 | Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
| 4.5 |
| 6 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | 。C) El |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | 。C) El |
Tc y | PESO |
|
|
| 1580 |
| G. El |
el esquema | 406F3 | ||||||
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