MTx400 MFx400 MT400, módulos de tiristores/diodos, enfriamiento por agua

refrigeración por agua

MTx400 MFx400 MT400, Módulos de Tiristores/Diodos, Enfriamiento por Agua

Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles de origen animal no deben ser consideradas como emisiones de CO2 de origen animal.

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TECHSEM

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MTx400 MFx400 MT400

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Introducción
el esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

breve introducción

El tiristoroModulo de diodo, MTx400 El número de personas600 El400，400A,refrigeración por agua，Producido por TECHSEM.


V:RRM,Vel	Tipo de producto & Esquema
Las demás Las demás Las demás Las demás	MT4 tecnología de la información MTxLas demás MTxLas demás MT420-4204F3G	MFx400-20-405F3 y sus componentes MFx400-22-405F3 y sus componentes MFx400-25-405F3 y sus componentes
MTx es el acrónimo de cualquier tipo deMTC, el MTA, El sistema de control de la

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	valor de las			Unidad
El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	el tiempo	Tipo de producto	El máximo	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180¿ Qué?media onda senoidal 50Hz El valor de la presión de refrigeración de la unilateral, TC=55。C) El	125			400	A
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS		125			628	A
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			45	¿Qué quieres?
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	VR=60%VRRM, t= 10 ms medio seno,	125			11	el
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	VR=60%VRRM, t= 10 ms medio seno,	125			605	10³A2^el
VTO	Voltaje de umbral		125			0.82	V:
Rt	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			0.79	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	ITM= 1200A	25			2.18	V:
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.	25	30		200	¿Qué quieres?
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	V:
IH	Corriente de mantenimiento			10		200	¿Qué quieres?
El	Corriente de retención					1000	¿Qué quieres?
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.20	V:
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.11	°C/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.04	°C/W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V:
El	El par de conexión del terminal ((M12)			12		14	Nuevo Méjico
El	Par de montaje (M6)			4.5		6	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	°C
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	°C
Tc y	PESO				1060		G. El
el esquema	Las demás