MTx400 MFx400 MT400, módulos de tiristores/diodos, enfriamiento por agua

refrigeración por agua

MTx400 MFx400 MT400, Módulos de Tiristores/Diodos, Enfriamiento por Agua

Las medidas de seguridad de los vehículos de motor no deberán incluir:

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx400 MFx400 MT400

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Introducción
el esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

breve introducción

El tiristoroModulo de diodo, MTx400 El número de personas400 El400，400A,refrigeración por agua，Producido por TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipo y contorno

Las demás

3000 V

Las demás

3400V

Las demás

MT4 tecnología de la información

MT4204 - Solución de las emisiones de gases de efecto invernadero

MFx400-26-406F3 y sus componentes

MFx400-28-406F3 y sus componentes

MFx400-30-406F3 y sus componentes

MFx400-32-406F3 y sus componentes

MFx400-34-406F3 y sus componentes

MFx400-36-406F3 y sus componentes

MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, MTA, MTK

MFx es el acrónimo de cualquier tipo de MFC, MFA, MFK

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	valor de las			Unidad
El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	el tiempo	Tipo de producto	El máximo	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180¿ Qué?media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55°C	125			400	A
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS		125			628	A
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			50	¿Qué quieres?
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	VR=60%VRRM, t=10 ms medio seno,	125			10.5	el
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	VR=60%VRRM, t=10 ms medio seno,	125			551	10³A²el
VTO	Voltaje de umbral		125			0.85	V:
Rt	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			0.90	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El ITM=1200A	25			2.85	V:
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri	25	30		200	¿Qué quieres?
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	V:
IH	Corriente de mantenimiento			10		200	¿Qué quieres?
El	Corriente de retención					1000	¿Qué quieres?
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.20	V:
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.100	°C/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.040	°C/W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx)		4000			V:
El	El par de conexión del terminal ((M12)			12		14	Nuevo Méjico
El	Par de montaje (M6)			4.5		6	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	°C
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	°C
Tc y	PESO				1580		G. El
el esquema	406F3