Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles
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Breve introducción
El tiristoroModulo de diodo,En el caso de las empresas de servicios de seguros, las empresas de seguros de vida se consideran como entidades de crédito.,1500A. El,Refrigeración por aire,Producido por TECHSEM.
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VRRM,VDRM | Tipo y Esquema | |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V 1800V | MT2 tecnología de la información MTxLas demás: MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT4204 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - | MFx1500-6-436F3 Las demás partes del sistema de control de la seguridad El número de personasLas demás: MFx1500-10-436F3 Las demás partes del sistema de control de la seguridad MFx1500-12-436F3 Las demás partes del sistema de control de la seguridad MFx1500-14-436F3 Las demás partes del anexo MFx1500-16-436F3 y sus componentes MFx1500-18-436F3 y sus componentes |
MTx es el acrónimo de cualquiertipo de MTC, el MTA, MTK MFx es el acrónimo de cualquier tipoE de MFC, el MFA, El MFK | ||
Características
Aplicaciones típicas
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj(℃) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180°media onda senoidal 50Hz El valor de la presión de refrigeración de la unilateral, TC=70℃ | 125 |
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| 1500 | A. El |
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
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| 130 | El número de |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | VR=60%VRRM, t=10 ms medio seno, | 125 |
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| 30 | KA |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles | 125 |
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| 4500 | 103A. El2s | |
VTO | Voltaje de umbral |
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125 |
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| 0.80 | v |
rT | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
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| 0.14 | MΩ | ||
VTM | Voltaje pico en estado de conducción | El ITM=3000A | 25 |
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| 1.60 | v |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=67%VDRM | 125 |
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| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido | Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo | 125 |
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| 200 | A/μs |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri |
25 | 40 |
| 200 | El número de |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 1.0 |
| 3.0 | v | ||
IH | Corriente de mantenimiento | 20 |
| 200 | El número de | ||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
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| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
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| 0.025 | ℃/W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
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| 0.018 | ℃/W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx) |
| 3000 |
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| v |
- ¿ Qué? | El par de conexión del terminal ((M16) |
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| 20 |
| Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M12) |
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| 14 |
| Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
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| -40 |
| 125 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
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| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
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| 6800 |
| G. El |
Esquema | Las demás |
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