MTx1200 MFx1200, módulos de tiristores/diodos, refrigeración por aire

Refrigeración por aire

MTx1200 MFx1200, Módulos de Tiristores/Diodos, Enfriamiento por Aire

1200 A, 600 V ~ 1800 V, 412 F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx1200 MFx1200

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Introducción
Esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

Breve introducción

El tiristoroModulo de diodo,MTx1200,MFx1200，1200A. El,Refrigeración por aire,Producido por TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo y contorno
600V	MTx1200-06-412F3	MFx1200-06-412F3
800V	MTx1200-08-412F3	MFx1200-08-412F3
1000V	MTx1200-10-412F3	MFx1200-10-412F3
1200V	MTx1200-12-412F3	MFx1200-12-412F3
1400V	MTx1200-14-412F3	MFx1200-14-412F3
1600V	MTx1200-16-412F3	MFx1200-16-412F3
1800V	MTx1200-18-412F3	MFx1200-18-412F3
1800V	MT1200-18-412F3G

MTx es el acrónimo de cualquiertipo de MTC, el MTA, MTK

MFx es el acrónimo de cualquier tipoE de MFC, el MFA, El MFK

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

Aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj(℃)	valor			unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj(℃)	En el minuto	Tipo	- ¿ Qué?	unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180°media onda senoidal 50Hz Refrigeración por un solo lado, TC=60℃	125			1200	A. El
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS		125			1884	A. El
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			55	El número de
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	VR=60%VRRM,,t=10ms medio seno,	125			26	KA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	VR=60%VRRM,,t=10ms medio seno,	125			3380	10³A. El²s
VTO	Voltaje de umbral		125			0.70	v
rT	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			0.14	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El ITM=3000A	25			1.96	v
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri	25	30		200	El número de
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	v
IH	Corriente de mantenimiento			10		200	El número de
El	Corriente de retención					1500	El número de
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	A 180°seno. Enfriado por un lado por chip				0.048	℃/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	A 180°seno. Enfriado por un lado por chip				0.020	℃/W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx)		3000			v
- ¿ Qué?	El par de conexión del terminal ((M12)			12.0		16.0	Nuevo Méjico
- ¿ Qué?	El par de montaje ((M8)			10.0		12.0	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	℃
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	℃
El	Peso				3660		G. El
Esquema	412F3