MTx1000 MFx1000 MT1000, módulos de tiristores/diodos, enfriamiento por agua

refrigeración por agua

MTx1000 MFx1000 MT1000, Módulos de Tiroistro/Diodo, Enfriamiento por agua

Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles no son iguales a las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT1000 MT1000 MT1000

Appurtenance:

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Introducción
el esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

breve introducción

Modulo de tiristoro/diodoe, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000A,refrigeración por agua，Producido por TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo y contorno
Las demás	MT1capacidad de producción	MFx1000-20-411F3 y sus componentes
Las demás	MT2 tecnología de la información	MFx1000-22-411F3 y sus componentes
Las demás	MT2 tecnología de la información	MFx1000-25-411F3 y sus componentes
Las demás	MT1 - El uso de la tecnología

Características

Base de montaje aislada 3000V~
Tecnología de contacto por presión con
Capacidad de ciclo de potencia aumentada
Ahorro de espacio y peso

aplicaciones típicas

Motor de transmisión de corriente alterna
Varios rectificadores
Fuente de corriente continua para el invertido PWM

El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	valor de las			Unidad
El símbolo	características	Condiciones de ensayo	Tj(°C)	el tiempo	Tipo de producto	El máximo	Unidad
IT(AV)	Corriente media en estado de conducción	180。media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, THS=55°C	125			1000	A
IT(RMS)	Corriente de estado en RMS		125			1570	A
No puedo no puedo	Corriente pico repetitiva	en VDRM en VRRM	125			50	¿Qué quieres?
ITSM	Corriente de sobrecarga en estado de conducción	La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de	125			18.0	el
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles		125			1620	10³A²el
VTO	Voltaje de umbral		125			0.85	V:
Rt	Resistencia de pendiente en estado de conducción		125			0.24	MΩ
VTM	Voltaje pico en estado de conducción	El ITM=3000A	25			2.20	V:
dv/dt	Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido	Fuente de puerta 1.5A tr ≤ 0,5 μs Repetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corriente de disparo de puerta	El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga.	25	30		200	¿Qué quieres?
Vgt.	Voltaje de disparo de puerta			0.8		3.0	V:
IH	Corriente de mantenimiento			10		200	¿Qué quieres?
El	Corriente de retención					1000	¿Qué quieres?
VGD	Voltaje de puerta no disparado	VDM=67%VDRM	125			0.20	V:
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Refrigerado de un solo lado por ficha				0.048	。C/W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Refrigerado de un solo lado por ficha				0.024	。C/W
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V:
El	El par de conexión del terminal ((M12)			12		16	Nuevo Méjico
El	El par de montaje ((M8)			10		12	Nuevo Méjico
TVj	Temperatura de unión			-40		125	°C
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	°C
Tc y	PESO				3230		G. El
el esquema	411F3