Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles no son iguales a las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
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Breve introducción
El tiristoroModulo de diodo, MTx1000 El número de personas1000 MT: el precio de venta1000,1000A. El,Refrigeración por aire,Producido por TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tipo y contorno | |
600V | MT2 tecnología de la información | MFx1000-06-412F3 y sus componentes |
800V | MT2 tecnología de la información | MFx1000-08-412F3 y sus componentes |
1000V | MT2 tecnología de la información | MFx1000-10-412F3 y sus componentes |
1200V | MT2 tecnología de la información | MFx1000-12-412F3 y sus componentes |
1400V | MT2 tecnología de la información | MFx1000-14-412F3 y sus componentes |
1600V | MT1capacidad de producción | MFx1000-16-412F3 y sus componentes |
1800V | MT1capacidad de producción | MFx1000-18-412F3 y sus componentes |
1800V | MT1204 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - |
|
MTx es el acrónimo de cualquiertipo de MTC, el MTA, MTK
Características
Aplicaciones típicas
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj(℃) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180°media onda senoidal 50Hz Refrigerado de un solo lado, TC=65℃ |
125 |
|
| 1000 | A. El |
IT(RMS) | Corriente de estado en RMS |
|
| 1570 | A. El | ||
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
|
| 55 | El número de |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | VR=60%VRRM, t=10 ms medio seno, | 125 |
|
| 26.0 | KA |
Yo2t | I2t para coordinación de fusibles | 125 |
|
| 3380 | 103A. El2s | |
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
|
| 0.80 | v |
rT | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 0.18 | MΩ | ||
VTM | Voltaje pico en estado de conducción | El ITM=3000A | 25 |
|
| 1.86 | v |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido | Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri |
25 | 30 |
| 200 | El número de |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Corriente de mantenimiento | 10 |
| 200 | El número de | ||
El | Corriente de retención |
|
| 1500 | El número de | ||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.048 | ℃/W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.020 | ℃/W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx) |
| 3000 |
|
| v |
- ¿ Qué? | El par de conexión del terminal ((M12) |
|
| 12.0 |
| 16.0 | Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M8) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
|
|
| 3660 |
| G. El |
Esquema | 412F3 |
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