Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles de combustibles fósiles no son iguales a las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
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Breve introducción
El tiristoroModulo de diodo, MTx1000 El número de personas1000 MT: el precio de venta1000,1000A. El,Refrigeración por aire,Producido por TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tipo y contorno |
| |
Las demás Las demás Las demás Las demás | MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT2 tecnología de la información MT1 - El uso de la tecnología | MFx1000-20-412F3 y sus componentes MFx1000-22-412F3 y sus componentes MFx1000-25-412F3 y sus componentes |
|
MTx es el acrónimo de cualquier tipo de MTC, MTA, MTK MFx es el acrónimo de cualquier tipo de MFC, MFA, MFK |
Características
Aplicaciones típicas
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj(℃) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180°media onda senoidal 50Hz El valor de la presión de refrigeración de la unilateral, TC=55℃ |
125 |
|
| 1000 | A. El |
IT(RMS) | Corriente de estado en RMS |
|
| 1570 | A. El | ||
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
|
| 60 | El número de |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | La velocidad de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de | 125 |
|
| 18 | KA |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles | 125 |
|
| 1620 | 103A2s | |
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
|
| 0.85 | v |
rT | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 0.24 | MΩ | ||
VTM | Voltaje pico en estado de conducción | El ITM=3000A | 25 |
|
| 2.40 | v |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido | Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la corriente de corriente de la corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corriente de corri |
25 | 30 |
| 200 | El número de |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Corriente de mantenimiento | 20 |
| 200 | El número de | ||
El | Corriente de retención |
|
| 1000 | El número de | ||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.048 | ℃/W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un lado por chip |
|
|
| 0.030 | ℃/W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA (máx) |
| 3000 |
|
| v |
- ¿ Qué? | El par de conexión del terminal ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | Nuevo Méjico |
El par de montaje ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
|
|
| 3660 |
| G. El |
Esquema | 412F3 |
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