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Breve introducción
Módulo de tiristor de soldadura ,m TC26 ,26A, Refrigeración por aire ,Producido por TECHSEM.
VDRM, VRRM | Tipo y contorno |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V | MTC26-06-224H3/224H3B MTC26-08-224H3/224H3B MTC26-10-224H3/224H3B MTC26-12-224H3/224H3B MTC26-14-224H3/224H3B MTC26-16-224H3/224H3B MTC26-18-224H3/224H3B |
Características :
Aplicaciones típicas :
El símbolo |
Características |
Condiciones de ensayo | Tj( ℃ ) | valor |
unidad | ||
En el minuto | Tipo | - ¿ Qué? | |||||
IT(AV) | Corriente media en estado de conducción | 180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un lado, Tc =85 ℃ | 125 |
|
| 26 | A. El |
IT(RMS) | Corriente de estado en RMS | 125 |
|
| 41 | A. El | |
No puedo no puedo | Corriente pico repetitiva | en VDRM en VRRM | 125 |
|
| 15 | El número de |
ITSM | Corriente de sobrecarga en estado de conducción | Onda sinusoidal de medio ciclo VR=60%VRRM |
125 |
|
| 1.6 | KA |
El 1 de enero | I2t para coordinación de fusibles |
|
| 12.8 | 103A. El 2s | ||
VTO | Voltaje de umbral |
|
125 |
|
| 0.75 | v |
rT | Resistencia de pendiente en estado de conducción |
|
| 7.68 | MΩ | ||
VTM | Voltaje pico en estado de conducción | ITM=80A | 25 |
|
| 1.55 | v |
dv/dt | Tasa crítica de aumento de la tensión en estado muerto | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasa crítica de aumento de corriente de estado de encendido | Fuente de puerta 1.5A tr ≤0.5μs Repetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corriente de disparo de puerta |
El valor de la energía de la unidad de carga será igual a la unidad de carga de la unidad de carga. |
25 | 30 |
| 200 | El número de |
Vgt. | Voltaje de disparo de puerta | 0.6 |
| 2.5 | v | ||
IH | Corriente de mantenimiento | 10 |
| 250 | El número de | ||
El | Corriente de retención |
|
| 1000 | El número de | ||
VGD | Voltaje de puerta no disparado | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | v |
Rth(j-c) | Resistencia térmica unión a carcasa | Enfriado por un solo lado, por chip |
|
|
| 0.90 | ℃ /W |
Rth(c-h) | Resistencia térmica de la caja al disipador | Enfriado por un solo lado, por chip |
|
|
| 0.15 | ℃ /W |
VISO (en inglés) | Voltaje de aislamiento | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
- ¿ Qué? | Par de conexión térmica(M5) |
|
| 2.5 |
| 4.0 | Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | Nuevo Méjico | |
TVj | Temperatura de unión |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
TSTG | Temperatura almacenada |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
El | Peso |
|
|
| 100 |
| G. El |
Esquema | 224H3 、224H3B |
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