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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD400CUT170C2S,Módulo IGBT,STARPOWER

1700 400A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 400A.

Características

  • Bajo VCE(sat) trinchera El IGBT Tecnología
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas

El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Valores nominales máximos

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

v El CES

Voltaje Colector-Emisor @ T j = 25

1700

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25

@ T C =80

650

400

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

800

A. El

P tot

Disipación total de potencia @ T j = 150

2403

W

t SC

Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 150

10

μs

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1700

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

3.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

Yo C = 16mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25

5.2

5.8

6.4

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

2.00

2.45

v

Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.40

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 25

278

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

81

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

802

El Consejo

t F

Tiempo de caída

119

El Consejo

e on

Enciende Pérdida de conmutación

104

mJ

e off

Pérdida de conmutación de apagado

86

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 125

302

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

99

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

1002

El Consejo

t F

Tiempo de caída

198

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 125

136

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

124

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

36

PF

C Es

Capacidad de salida

1.5

PF

C res

Transferencia inversa

Capacidad

1.2

PF

R El ginto

Resistencia interna de puerta tancia

1.9

Ω

Yo SC

Datos de la SC

t P 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ,V CC = de una potencia de 1000 V, v El CEM Las demás

1600

A. El

Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Valores nominales máximos

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

v RRM

Tensión Pico Inversa Repetitiva @ Tj=25

1700

v

Yo F

Corriente Directa de Avance @ T C =80

100

A. El

Yo El MFR

Corriente directa repetitiva de pico t P =1 ms

200

A. El

Yo 2t

Yo 2el valor de t,V R =0V,T P =1 0ms,T j = 125

1800

A. El 2s

Características Valores

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F = 100A,V El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

t j = 25

1.80

2.20

v

t j = 125

1.90

¿Qué es? R

Diodo inverso

Cargo por recuperación

Yo F = el número de unidades de producción

v R =900V,

el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión interna, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V

t j = 25

29.0

El valor de la concentración

t j = 125

48.5

Yo RM

Pico de diodo

Recuperación inversa Corriente

t j = 25

155

A. El

t j = 125

165

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

15.5

mJ

t j = 125

27.5

Modulo IGBT

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto

2500

v

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC ’+ EE

Modulo de resistencia al plomo, terminal al chip @ T C = 25

0.35

m Ω

R θ JC, el otro

Enlace a la caja

(Inversor IGBT, por Modo 1/2 El

0.052

El número de unidades

Enlace a la caja

(Diodo-dispersor de frenos por Modulo de la mitad)

0.280

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

El número de unidades

t j

Temperatura máxima de unión

150

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40

125

Montaje

Par

Terminal de energía Tornillo:M6

2.5

5.0

N.M

Montaje Tornillo:M6

3.0

5.0

G. El

Peso de módulo

300

G. El

Esquema

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