Módulo IGBT 1700V

El símbolo

Descripción

v valor

Unidades

VCES

Voltagem del colector-emittente

1700

v

VGES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

CI

Corriente de Colector @ TC=25℃

Corriente de Colector @ TC=80℃

5200

A. El

3600

ICM(1)

Corriente Colectora Pulsada tp= 1ms

7200

A. El

IF

Diodo de corriente continua hacia adelante

3600

A. El

IFM

Corriente Directa Máxima del Diodo @ TC=80℃

7200

A. El

PD

Disipación de Potencia Máxima @ Tj=175℃

20

kw

Tj

Temperatura máxima de unión

175

℃

TSTG

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

℃

VISO (en inglés)

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Montaje

Tornillo de terminal de señal:M4

1.8 a 2.1

Tornillo de terminal de potencia:M8

8.0 a 10

N.M

Par

El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga

4.25 a 5.75

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V (BR) CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

Tj=25°C

1700

v

El CIEM

Corriente de corte del colector

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C. El valor de la presión de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire

5.0

El número de

El IGES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

VGE (h)

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

2.40

2.85

El número de

Cargo por puerta

VGE=-15...+15V

42.0

El valor de la concentración

RGint

Resistor de puerta interno

Tj=25°C

0.4

Ω

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

205

El Consejo

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

1510

El Consejo

TF

Tiempo de caída

185

El Consejo

El EON

Pérdida de conmutación de encendido

498

mJ

El número de personas

Pérdida de conmutación de apagado

1055

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

785

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

225

El Consejo

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

1800

El Consejo

TF

Tiempo de caída

325

El Consejo

El EON

Pérdida de conmutación de encendido

746

mJ

El número de personas

Pérdida de conmutación de apagado

1451

mJ

Las

Capacidad de entrada

VCE = 25V, f = 1MHz,

VGE = 0V

317

NF (número de trabajo)

Coes

Capacidad de salida

13.2

NF (número de trabajo)

El Cres

Transferencia inversa

Capacidad

10.5

NF (número de trabajo)

ISC

Datos de la SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

14000

A. El

El LCE

Inductividad de alejamiento

10

nH

El número de datos de la autoridad competente

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.12

MΩ

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =3600A

t j = 25 ℃

1.80

2.20

v

t j = 125 ℃

1.90

2.30

¿Qué es? R

Cargo recuperado

Yo F =3600A,

v R =900V,

R ¿ Qué pasa? =0.4Ω,

v El sector de la energía El valor de la presión de escape

t j = 25 ℃

836

El valor de la concentración

t j = 125 ℃

1451

Yo RM

Recuperación inversa Corriente

t j = 25 ℃

2800

A. El

t j = 125 ℃

3300

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25 ℃

590

mJ

t j = 125 ℃

1051