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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD600SGL120C2S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD600SGL120C2S
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 600A.

Característica

  • Tecnología IGBT con baja VCE (sat) SPT+
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Soldadores electrónicos a fSW de hasta 20kHz

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

GD600SGL120C2S

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25

@ T C = 100

950

A. El

600

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

1200

A. El

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

600

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente directa máxima del diodo alquiler

1200

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175

3750

W

t SC

Cortocircuito con esta y tiempo

10

μs

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

Yo 2Valor t, Diodo

v R =0V,t=10ms,T j = 125

74000

A. El 2s

v ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Par de montaje

Terminal de señal Tornillo:M4

1.1 a 2.0

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

Entre 2,5 y 5.0

N.M

Montaje Tornillo:M6

3,0 a 5.0

Peso

Peso de módulo

300

G. El

Eléctrico Características de El IGBT Tc = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1200

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

Yo C =24 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25

5.0

6.2

7.0

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C =600A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

1.9

v

Yo C =600A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.1

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =600A, R G. El =3Ω,

v El sector de la energía = ± 15 V, t j = 25

200

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

62

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

510

El Consejo

t F

Tiempo de caída

v CC = 600 V,I C =600A, R G. El =3Ω,

v El sector de la energía = ± 15 V, t j = 25

60

El Consejo

e on

Conmutación de encendido

Pérdida

39

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

48

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =600A,

R G. El =3Ω,V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 125

210

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

65

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

600

El Consejo

t F

Tiempo de caída

75

El Consejo

e on

Conmutación de encendido

Pérdida

45

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

60

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE =25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

41.0

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

3.1

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

2.0

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t s C 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ,

v CC =900V, v El CEM 1200V

2600

A. El

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC ’+ EE

Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a el chip

t C = 25

0.18

m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =600A

t j = 25

1.8

2.4

v

t j = 125

1.9

2.5

¿Qué es? R

Diodo inverso

Cargo por recuperación

Yo F =600A,

v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

di/dt=-6000A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V

t j = 25

65

El valor de la concentración

t j = 125

100

Yo RM

Pico de diodo

Recuperación inversa Corriente

t j = 25

450

A. El

t j = 125

510

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

35

mJ

t j = 125

42

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo)

0.04

/W

R θ JC, el otro

Junción-a-Caja (Parte del Diodo, por Módulo El

0.09

/W

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

/W

Esquema

image(6b521639e0).png

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