1200V,400A
Breve introducción
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 600A.
Características
Aplicaciones típicas
En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Descripción | GD400SGL120C2S | Unidades |
v El CES | Voltagem del colector-emittente | 1200 | v |
v El GES | Voltagem del emisor de la puerta | ± 20 | v |
Yo C | Corriente Colectora @ T C = 25℃ @ T C = 100℃ | 650 | A. El |
400 | |||
Yo cm (1) | Corriente de colector pulsada nt | 800 | A. El |
Yo F | Diodo de corriente continua hacia adelante | 400 | A. El |
Yo - ¿ Qué? | Corriente directa máxima del diodo alquiler | 800 | A. El |
P D | Disipación de potencia máxima @ T j = 175℃ | 3000 | W |
t SC | Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125 ℃ | 10 | μs |
t jmax | Temperatura máxima de unión | 175 | ℃ |
t j | Temperatura de funcionamiento de las uniones | -40 a +150 | ℃ |
t El GST | Rango de Temperatura de Almacenamiento | -40 a +125 | ℃ |
Yo 2Valor t, Diodo | v R =0V, t=10ms, T j = 125 ℃ | 27500 | A. El 2s |
v ISO | Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t=1min | 2500 | v |
Par de montaje | El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente: | Entre 2,5 y 5 | N.M |
Montaje Tornillo:M6 | 3 a 6 | N.M |
Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
Desactivado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
BV El CES | Recolector-emittente Voltaje de ruptura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| v |
Yo El CES | El colector Corte -off Corriente | v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | El número de |
Yo El GES | Puerta-Emisor corriente de fuga | v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sobre las características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
v El sector de la energía (th ) | Puerta-Emisor Voltaje de umbral | Yo C =8 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
v CE (sat) | Colector a Saturación de emisor Voltaje | Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃ |
| 1.9 |
|
v |
Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125℃ |
| 2.1 |
|
Cambiar de características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
t D (on ) | Tiempo de retraso de encendido | v CC = 600 V,I C =400A, R G. El =4Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, |
| 100 |
| El Consejo |
t R | Tiempo de ascenso |
| 60 |
| El Consejo | |
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso | t j = 25 ℃ |
| 420 |
| El Consejo |
t F | Tiempo de caída | v CC = 600 V,I C =400A, R G. El =4Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 25 ℃ |
| 60 |
| El Consejo |
e on | Enciende Pérdida de conmutación |
| 33 |
| mJ | |
e off | Encender -off Pérdida de conmutación |
| 42 |
| mJ | |
t D (on ) | Tiempo de retraso de encendido |
v CC = 600 V,I C =400A, R G. El =4Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 125℃ |
| 120 |
| El Consejo |
t R | Tiempo de ascenso |
| 60 |
| El Consejo | |
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso |
| 490 |
| El Consejo | |
t F | Tiempo de caída |
| 75 |
| El Consejo | |
e on | Enciende Pérdida de conmutación |
| 35 |
| mJ | |
e off | Encender -off Pérdida de conmutación |
| 46 |
| mJ | |
C ies | Capacidad de entrada |
v CE =25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente |
| 30 |
| NF (número de trabajo) |
C Es | Capacidad de salida |
| 4 |
| NF (número de trabajo) | |
C res | Inversa Capacitancia de transferencia |
| 3 |
| NF (número de trabajo) | |
Yo SC |
Datos de la SC | t s C ≤ 10μs, V El sector de la energía =15 V, t j = 125 ℃ , V CC =900V, v El CEM ≤ 1200V |
|
1900 |
|
A. El |
R El ginto | Puerta interna resistencia |
|
| 0.5 |
| Ω |
L CE | Inductividad de alejamiento |
|
|
| 20 | nH |
R CC ’+ EE ’ | Modulo de plomo Resistencia Terminal a el chip |
t C = 25 ℃ |
|
0.18 |
|
m Ω |
Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades | |
v F | Diodo hacia adelante Voltaje | Yo F =400A | t j = 25 ℃ |
| 2.1 | 2.2 | v |
t j = 125℃ |
| 2.2 | 2.3 | ||||
¿Qué es? R | Diodo inverso Cargo por recuperación |
Yo F =400A, v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. di/dt=-4000A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V | t j = 25 ℃ |
| 40 |
| El valor de la concentración |
t j = 125℃ |
| 48 |
| ||||
Yo RM | Pico de diodo Recuperación inversa Corriente | t j = 25 ℃ |
| 320 |
|
A. El | |
t j = 125℃ |
| 400 |
| ||||
e Reconocimiento | Recuperación inversa energía | t j = 25 ℃ |
| 12 |
| mJ | |
t j = 125℃ |
| 20 |
| ||||
Características térmicas ics
El símbolo | Parámetro | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
R θ JC, el otro | Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo) |
| 0.05 | El número de unidades |
R θ JC, el otro | Unión a caja (parte DIODE, por modul o) |
| 0.09 | El número de unidades |
R θ CS | Caja a disipador (grasa conductiva a plicada) | 0.035 |
| El número de unidades |
Peso | Peso de módulo | 300 |
| G. El |
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