Módulo IGBT，1200V 400A
Breve introducción
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 600A.
Características
Típico Aplicaciones
Clasificaciones máximas absolutas t C = 25 ℃ a menos que de otra manera no ted
El símbolo | Descripción | GD400SGK120C2S | Unidades | |
v El CES | Voltagem del colector-emittente | 1200 | v | |
El símbolo | Descripción | GD400SGK120C2S | Unidades | |
v El GES | Voltagem del emisor de la puerta | ± 20V | v | |
Yo C | Corriente Colectora @ T C = 25 ℃ @ T C =80 ℃ | 550 | A. El | |
400 | ||||
Yo CM(1) | Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms | 800 | A. El | |
Yo F | Corriente continua hacia adelante del diodo nt | 400 | A. El | |
Yo - ¿ Qué? | Corriente máxima hacia adelante del diodo nt | 800 | A. El | |
P D | Disipación de potencia máxima @ t j = 150 ℃ | 2500 | W | |
t SC | Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j =1 25℃ | 10 | μs | |
t j | Temperatura de funcionamiento de las uniones | -40 a +150 | ℃ | |
t El GST | Rango de Temperatura de Almacenamiento | -40 a +125 | ℃ | |
Yo 2Valor t, Diodo | v R =0V, t=10ms, T j = 125 ℃ | 27500 | A. El 2s | |
v ISO | Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t=1min | 2500 | v | |
Montaje Par | Terminal de energía Tornillo:M4 Terminal de energía Tornillo:M6 | 1.1 a 2.0 Entre 2,5 y 5.0 | N.M | |
Montaje Tornillo:M6 | 3,0 a 6.0 | N.M |
Características eléctricas de El IGBT t C = 25 ℃ salvo que se indique lo contrario
Desactivado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
BV El CES | Recolector-emittente Voltaje de ruptura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| v |
Yo El CES | El colector Corte -off Corriente | v CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | El número de |
Yo El GES | Fugas de los emisores de puertas Corriente | v El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sobre las características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
v El número de personas | Puerta-Emisor Voltaje de umbral | Yo C =5.0mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25 ℃ | 4.5 | 5.1 | 5.5 | v |
v CE (sat) | Recolector al emisor Voltagem de saturación | Yo C =400A,V El sector de la energía =15V,T j = 25 ℃ |
| 2.2 |
|
v |
Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ |
| 2.5 |
|
Cambiar de carácter las
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades | |
t En el | Tiempo de retraso de encendido | v CC = 600 V,I C =400A, |
| 258 |
| El Consejo | |
t R | Tiempo de ascenso | R G. El =3.3Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, |
| 110 |
| El Consejo | |
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso | t j = 25 ℃ |
| 285 |
| El Consejo | |
t F | Tiempo de caída |
v CC = 600 V,I C =400A, R G. El =3.3Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 25 ℃ |
| 70 |
| El Consejo | |
e on | Enciende Conmutación Pérdida |
| 45 |
| mJ | ||
e off | Cambiar el encendido Pérdida |
| 26 |
| mJ | ||
t En el | Tiempo de retraso de encendido |
v CC = 600 V,I C =400A, R G. El =3.3Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 125℃ |
| 260 |
| El Consejo | |
t R | Tiempo de ascenso |
| 120 |
| El Consejo | ||
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso |
| 300 |
| El Consejo | ||
t F | Tiempo de caída |
| 80 |
| El Consejo | ||
e on | Enciende Conmutación Pérdida |
| 60 |
| mJ | ||
e off | Cambiar el encendido Pérdida |
| 40 |
| mJ | ||
C ies | Capacidad de entrada |
v CE =25V, f=1.0MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente |
| 74.7 |
| NF (número de trabajo) | |
C Es | Capacidad de salida |
| 3.3 |
| NF (número de trabajo) | ||
C res | Transferencia inversa Capacidad |
| 0.64 |
| NF (número de trabajo) | ||
Yo SC |
Datos de la SC | t s C ≤ 10μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ , V CC =900V, v El CEM ≤ 1200V |
|
2400 |
|
A. El | |
L CE | Inductividad de alejamiento |
|
| 16 |
| nH | |
R CC ’+ EE ’ | Modulo de plomo Resistencia Terminal a Chip |
t C = 25 ℃ |
|
0.50 |
|
m Ω |
Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades | |
v F | Diodo hacia adelante Voltaje | Yo F =400A | t j = 25 ℃ |
| 2.0 | 2.3 | v |
t j = 125 ℃ |
| 2.2 | 2.5 | ||||
¿Qué es? R | Diodo inverso Cargo por recuperación |
Yo F =400A, v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. di/dt=-4100A/μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape | t j = 25 ℃ |
| 31 |
| El valor de la concentración |
t j = 125 ℃ |
| 66 |
| ||||
Yo RM | Pico de diodo Recuperación inversa Corriente | t j = 25 ℃ |
| 300 |
|
A. El | |
t j = 125 ℃ |
| 410 |
| ||||
e Reconocimiento | Recuperación inversa energía | t j = 25 ℃ |
| 12 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 28 |
| ||||
Características térmicas
El símbolo | Parámetro | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
R θJC | Unión a caja (parte IGBT, por Modulo de la mitad) |
| 0.05 | El número de unidades |
R θJC | Unión a caja (parte DIODE, por Modulo de la mitad) |
| 0.08 | El número de unidades |
R θCS | Caja a disipador (grasa conductiva a plicada) | 0.035 |
| El número de unidades |
Peso | Peso de módulo | 340 |
| G. El |
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