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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD1200SGL120C3S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1200A.

Características

  • Alta capacidad de cortocircuito, auto limitándose a 6*IC
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Soldadores electrónicos

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

Yo C

Corriente de Colector

@ T C = 25

@ T C = 100

1900

A. El

1200

Yo cm (1)

Corriente Colectora Pulsada t P = 1 ms

2400

A. El

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

1200

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente directa máxima del diodo alquiler

2400

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175

8823

W

t SC

Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125

10

μs

t j

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

Yo 2Valor t, Diodo

v R =0V, t=10ms, T j = 125

300

KA 2s

v ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Montaje

Par

Tornillo de terminal de potencia:M4

Tornillo de terminal de potencia:M8

1.7 a 2.3

8.0 a 10

N.M

Montaje Tornillo:M6

4.25 a 5.75

N.M

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

BV El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1200

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

800

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

Yo C =48.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25

5.0

6.5

7.0

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

1.9

v

Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.1

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R El ginto

Resistor de puerta interno

t j = 25

1.2

Ω

¿Qué es? El sector de la energía

Cargo por puerta

Yo C = 1200 A, V CE El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El sector de la energía - ¿ Qué? 15...+15V

12.5

El valor de la concentración

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 1200A,

R G. El =0.82Ω,V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 25

790

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

170

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

1350

El Consejo

t F

Tiempo de caída

180

El Consejo

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 1200A,

R G. El =0.82Ω,V El sector de la energía = ± 15 V,

t j = 125

850

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

170

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

1500

El Consejo

t F

Tiempo de caída

220

El Consejo

e on

Enciende Pérdida de conmutación

155

mJ

e off

Pérdida de conmutación de apagado

190

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE =25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

92.0

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

8.40

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

6.10

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t s C 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ,

v CC =900V, v El CEM 1200V

7000

A. El

L CE

Inductividad de alejamiento

15

nH

R CC ’+ EE

Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a el chip

t C = 25 ,por interruptor

0.10

m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F = 1200A

t j = 25

1.9

v

t j = 125

2.1

¿Qué es? R

Diodo inverso

Cargo por recuperación

Yo F = el número de unidades de carga de la unidad de carga

v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

di/dt=-6800A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V

t j = 25

110

El valor de la concentración

t j = 125

220

Yo RM

Pico de diodo

Recuperación inversa Corriente

t j = 25

760

A. El

t j = 125

990

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

47

mJ

t j = 125

82

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo)

0.017

El número de unidades

R θ JC, el otro

Junción-a-Caja (Parte del Diodo, por Módulo El

0.025

El número de unidades

R θ CS

En el caso de los equipos de la categoría M2

(Grasa conductora aplicada, según Módulo)

0.006

El número de unidades

Peso

Peso de módulo

1500

G. El

Esquema

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