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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD300SGL120C2S, Módulo IGBT, FSW hasta 20kHz, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 300A.

Características

  • Alta capacidad de cortocircuito, auto limitándose a 6*IC
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Soldadores electrónicos a fSW de hasta 20kHz

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25

@ T C = 100

600

A. El

300

Yo cm (1)

Corriente de colector pulsada nt

600

A. El

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

300

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente directa máxima del diodo alquiler

600

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175

3000

W

t SC

Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125

10

μs

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t j

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

Yo 2Valor t, Diodo

v R =0V, t=10ms, T j = 125

19000

A. El 2s

v ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Par de montaje

Terminal de señal Tornillo:M4

1. 1 a 2.0

N.M

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

Entre 2,5 y 5.0

Montaje Tornillo:M6

3 a 6

N.M

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

BV El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1200

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

Yo C = 12mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25

5

6.2

7.0

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

1.9

v

Yo C El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.1

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 300A,

90

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

R G. El =4.7Ω, V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 25

55

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

460

El Consejo

t F

Tiempo de caída

v CC = 600 V,I C = 300A,

R G. El =4.7Ω, V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 25

55

El Consejo

e on

Conmutación de encendido

Pérdida

28

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

25

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 300A, R G. El =4.7Ω, V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 125

110

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

60

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

500

El Consejo

t F

Tiempo de caída

60

El Consejo

e on

Conmutación de encendido

Pérdida

31

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

27

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE =25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

21

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

1.5

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

0.9

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t s C 10μs, V El sector de la energía =15 V, t j = 125 , V CC =900V, v El CEM 1200V

1300

A. El

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC ’+ EE

Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a el chip

t C = 25

0.18

m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =300A

t j = 25

2.0

2.4

v

t j = 125

2.2

2.5

¿Qué es? R

Diodo inverso

Cargo por recuperación

Yo F = 300A,

v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

di/dt=-2400A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V

t j = 25

27

El valor de la concentración

t j = 125

50

Yo RM

Pico de diodo

Recuperación inversa Corriente

t j = 25

120

A. El

t j = 125

170

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

9

mJ

t j = 125

20

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo)

0.06

El número de unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte DIODE, por modul o)

0.12

El número de unidades

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

El número de unidades

Peso

Peso de módulo

310

G. El

Esquema

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