GD800HFL120C3S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT 1200V

GD800HFL120C3S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD800HFL120C3S

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 800A.

Características

Alta capacidad de cortocircuito, auto-limitante a 6*IC
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Baja inductancia Caso
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

Inversor de Corriente Alterna Conduce
Fuente de alimentación de modo de conmutación suministros
Saldadoras electrónicas

Clasificaciones máximas absolutas t C = 25 ℃ a menos que de otra manera no ted

El símbolo	Descripción	GD800HFL120C3S	Unidades
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	± 20	v
Yo C	@ T C = 25 ℃ @ T C =80 ℃	1250	A. El
Yo C	@ T C = 25 ℃ @ T C =80 ℃	800	A. El
Yo CM(1)	Corriente Colectora Pulsada t P = 1 ms	1600	A. El
Yo F	Diodo de corriente continua hacia adelante	800	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente máxima directa del diodo	1600	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ t j = 150 ℃	4310	W
t SC	Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125 ℃	10	μs
t j	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	℃
t El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	℃
Yo 2Valor t, Diodo	v R =0V, t=10ms, T j = 125 ℃	140	KA 2s
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min	2500	v
Montaje Par	Terminal de energía Tornillo:M4 Terminal de energía Tornillo:M8	1.7 a 2.3 8.0 a 10	N.M
Montaje Par	Montaje Tornillo:M6	4.25 a 5.75	N.M

Características eléctricas de El IGBT t C = 25 ℃ salvo que se indique lo contrario

Desactivado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
BV El CES	Recolector-emittente Voltaje de ruptura	t j = 25 ℃	1200			v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sobre las características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v El número de personas	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =32mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25 ℃	5.0	6.2	7.0	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		1.8		v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C El valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃		2.0		v

Cambiar de carácter las

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
¿Qué es? El sector de la energía	Cargo por puerta	Yo C El valor de las emisiones de CO2 CE El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El sector de la energía El valor de la carga de la corriente eléctrica		11.5		El valor de la concentración
t En el	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C = 800A, R ¿ Qué pasa? =3.3Ω, R - ¿ Qué? =0.39Ω, v El sector de la energía = ± 15V,T j = 25 ℃		600		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			230		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			820		El Consejo
t F	Tiempo de caída			150		El Consejo
t En el	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C = 800A, R ¿ Qué pasa? =3.3Ω, R - ¿ Qué? =0.39Ω, v El sector de la energía = ± 15V,T j = 125 ℃		660		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			220		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			960		El Consejo
t F	Tiempo de caída			180		El Consejo
e on	Enciende Pérdida de conmutación			160		mJ
e off	Pérdida de conmutación de apagado			125		mJ
C ies	Capacidad de entrada	v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		61.8		NF (número de trabajo)
C Es	Capacidad de salida			4.2		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			2.7		NF (número de trabajo)
Yo SC	Datos de la SC	t s C ≤ 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ , v CC =900V, v El CEM ≤ 1200V		3760		A. El
L CE	Inductividad de alejamiento			20		nH
R CC ’+ EE ’	Resistencia de plomo del módulo ce, Terminal a el chip	t C = 25 ℃		0.18		m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo		Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =800A	t j = 25 ℃		2.4		v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =800A	t j = 125 ℃		2.2		v
¿Qué es? R	Diodo inverso Cargo por recuperación	Yo F = 800A, v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. di/dt=-3600A/μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape	t j = 25 ℃		37		El valor de la concentración
¿Qué es? R	Diodo inverso Cargo por recuperación		t j = 125 ℃		90		El valor de la concentración
Yo RM	Pico de diodo Recuperación inversa Corriente		t j = 25 ℃		260		A. El
Yo RM	Pico de diodo Recuperación inversa Corriente		t j = 125 ℃		400		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 25 ℃		9		mJ
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 125 ℃		24		mJ

Características térmicas

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	Unidades
R θJC	Unión-a-Caja (Parte IGBT, por Modulo de la mitad)		0.029	El número de unidades
R θJC	Unión-a-Caja (Parte Diodo, por Modulo de la mitad)		0.052	El número de unidades
R θCS	En el caso de los equipos de la categoría M2 (Grasa conductora aplicada, según Módulo)	0.006		El número de unidades
Peso	Peso de módulo	1500		G. El