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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD400SGT170C2S, Módulo IGBT, STARPOWER

1700V 400A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD400SGT170C2S
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 400A.

Características

  • Bajo VCE(sat) trinchera El IGBT Tecnología
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

7

El símbolo

Descripción

GD400SGT170C2S

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25

@ T C =80

700

A. El

400

Yo cm (1)

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

800

A. El

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

400

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente directa máxima del diodo alquiler

800

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175

3000

W

t SC

Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125

10

μs

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

Yo 2t-valor,Diodo

v R =0V,t=10ms,T j = 125

25500

A. El 2s

v ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Par de montaje

Tornillo de terminal de potencia:M4

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

1.1 a 2.0

Entre 2,5 y 5.0

N.M

Montaje Tornillo:M6

3,0 a 5.0

N.M

0C2S

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

v El sector de la energía =0V, Yo C = 14mA, t j = 25

1700

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

3.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

Yo C = 16mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25

5.2

5.8

6.4

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

2.00

2.45

v

Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.40

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 900V,I C =400A,

278

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± 15 V,

81

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

t j = 25

802

El Consejo

t F

Tiempo de caída

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 25

119

El Consejo

e on

Conmutación de encendido

Pérdida

104

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

86

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 125

302

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

99

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

1002

El Consejo

t F

Tiempo de caída

198

El Consejo

e on

Conmutación de encendido

Pérdida

136

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

124

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

36

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

1.5

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

1.2

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t s C 10 μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

t j = 125 ,V CC = de una potencia de 1000 V, v El CEM Las demás

1600

A. El

R El ginto

Resistencia interna de puerta tancia

1.9

Ω

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC ’+ EE

Resistencia de plomo del módulo ce, Terminal a el chip

t C = 25

0.18

m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =400A

t j = 25

1.80

2.20

v

t j = 125

1.90

¿Qué es? R

Diodo inverso

Cargo por recuperación

Yo F =400A,

v R =900 V,

di/dt=-4250A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V

t j = 25

99

El valor de la concentración

t j = 125

172

Yo RM

Pico de diodo

Recuperación inversa Corriente

t j = 25

441

A. El

t j = 125

478

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

53

mJ

t j = 125

97

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo)

0.05

El número de unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte DIODE, por modul o)

0.09

El número de unidades

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

El número de unidades

Peso

Peso de módulo

300

G. El

Esquema

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