1700V 400A
Breve introducción
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 400A.
Características
Aplicaciones típicas
En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
7
El símbolo | Descripción | GD400SGT170C2S | Unidades |
v El CES | Voltagem del colector-emittente | 1700 | v |
v El GES | Voltagem del emisor de la puerta | ± 20 | v |
Yo C | Corriente Colectora @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃ | 700 | A. El |
400 | |||
Yo cm (1) | Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms | 800 | A. El |
Yo F | Diodo de corriente continua hacia adelante | 400 | A. El |
Yo - ¿ Qué? | Corriente directa máxima del diodo alquiler | 800 | A. El |
P D | Disipación de potencia máxima @ T j = 175℃ | 3000 | W |
t SC | Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125 ℃ | 10 | μs |
t jmax | Temperatura máxima de unión | 175 | ℃ |
t El GST | Rango de Temperatura de Almacenamiento | -40 a +125 | ℃ |
Yo 2t-valor,Diodo | v R =0V,t=10ms,T j = 125 ℃ | 25500 | A. El 2s |
v ISO | El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | v |
Par de montaje | Tornillo de terminal de potencia:M4 El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente: | 1.1 a 2.0 Entre 2,5 y 5.0 | N.M |
Montaje Tornillo:M6 | 3,0 a 5.0 | N.M |
0C2S
Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
Desactivado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
v (BR )El CES | Recolector-emittente Voltaje de ruptura | v El sector de la energía =0V, Yo C = 14mA, t j = 25 ℃ | 1700 |
|
| v |
Yo El CES | El colector Corte -off Corriente | v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 3.0 | El número de |
Yo El GES | Fugas de los emisores de puertas Corriente | v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sobre las características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
v El sector de la energía (th ) | Umbral de emisor de puertas Voltaje | Yo C = 16mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25 ℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
v CE (sat) |
Recolector al emisor Voltagem de saturación | Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃ |
| 2.00 | 2.45 |
v |
Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125℃ |
| 2.40 |
|
Cambiar de características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades | ||
t D (on ) | Tiempo de retraso de encendido | v CC = 900V,I C =400A, |
| 278 |
| El Consejo | ||
t R | Tiempo de ascenso | R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± 15 V, |
| 81 |
| El Consejo | ||
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso | t j = 25 ℃ |
| 802 |
| El Consejo | ||
t F | Tiempo de caída |
v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 119 |
| El Consejo | ||
e on | Conmutación de encendido Pérdida |
| 104 |
| mJ | |||
e off | Cambiar el encendido Pérdida |
| 86 |
| mJ | |||
t D (on ) | Tiempo de retraso de encendido |
v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía = ± 15 V, t j = 125℃ |
| 302 |
| El Consejo | ||
t R | Tiempo de ascenso |
| 99 |
| El Consejo | |||
t No se puede | Apagado Tiempo de retraso |
| 1002 |
| El Consejo | |||
t F | Tiempo de caída |
| 198 |
| El Consejo | |||
e on | Conmutación de encendido Pérdida |
| 136 |
| mJ | |||
e off | Cambiar el encendido Pérdida |
| 124 |
| mJ | |||
C ies | Capacidad de entrada |
v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente |
| 36 |
| NF (número de trabajo) | ||
C Es | Capacidad de salida |
| 1.5 |
| NF (número de trabajo) | |||
C res | Transferencia inversa Capacidad |
| 1.2 |
| NF (número de trabajo) | |||
Yo SC |
Datos de la SC | t s C ≤ 10 μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ ,V CC = de una potencia de 1000 V, v El CEM ≤ Las demás |
|
1600 |
|
A. El | ||
R El ginto | Resistencia interna de puerta tancia |
|
| 1.9 |
| Ω | ||
L CE | Inductividad de alejamiento |
|
|
| 20 | nH | ||
R CC ’+ EE ’ | Resistencia de plomo del módulo ce, Terminal a el chip | t C = 25 ℃ |
| 0.18 |
| m Ω |
Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades | |
v F | Diodo hacia adelante Voltaje | Yo F =400A | t j = 25 ℃ |
| 1.80 | 2.20 | v |
t j = 125℃ |
| 1.90 |
| ||||
¿Qué es? R | Diodo inverso Cargo por recuperación |
Yo F =400A, v R =900 V, di/dt=-4250A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V | t j = 25 ℃ |
| 99 |
| El valor de la concentración |
t j = 125℃ |
| 172 |
| ||||
Yo RM | Pico de diodo Recuperación inversa Corriente | t j = 25 ℃ |
| 441 |
|
A. El | |
t j = 125℃ |
| 478 |
| ||||
e Reconocimiento | Recuperación inversa energía | t j = 25 ℃ |
| 53 |
| mJ | |
t j = 125℃ |
| 97 |
|
Características térmicas ics
El símbolo | Parámetro | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
R θ JC, el otro | Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo) |
| 0.05 | El número de unidades |
R θ JC, el otro | Unión a caja (parte DIODE, por modul o) |
| 0.09 | El número de unidades |
R θ CS | Caja a disipador (grasa conductiva a plicada) | 0.035 |
| El número de unidades |
Peso | Peso de módulo | 300 |
| G. El |
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