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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD400HFT170C2SN,Módulo IGBT,STARPOWER

1700V 400A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD400HFT170C2SN
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1700V 400A.

Características

  • Bajo VCE(sat) trinchera El IGBT Tecnología
  • Baja pérdida de conmutación
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • Cuadro de baja inductancia
  • VCE (sat) con positivo Temperatura Coeficiente
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • UPS

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

GD400HFT170C2SN

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

Yo C

Corriente del colector @ t C = 25

@ T C =80

700

400

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

800

A. El

Yo F

Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler

@ T C =80

400

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms

800

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j =1 75

2632

W

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t El GST

Temperatura de almacenamiento Autonomía

-40 a +125

v ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto

4000

v

Montaje Par

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga

Entre 2,5 y 5.0

3,0 a 5.0

N.M

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1700

v

Yo El CES

El colector Corte -off

Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C = 16.0mA,V CE =V El sector de la energía , t j = 25

5.2

5.8

6.4

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

2.00

2.45

v

Yo C =400A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.40

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

281

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

79

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

795

El Consejo

t F

Tiempo de caída

120

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

104

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

86

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 900V,I C =400A, R G. El =3.6Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

299

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

102

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

998

El Consejo

t F

Tiempo de caída

202

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

136

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

124

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

35.3

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

1.46

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

1.17

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V,

t j = 125 °C, v CC = 1000 V, v El CEM No más de 700 V

1600

A. El

R El ginto

Resistencia de la puerta interna el

1.9

Ω

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Modulo de plomo

Resistencia

Terminal a el chip

0.35

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =400A

t j = 25

1.80

2.20

v

t j = 125

1.90

¿Qué es? R

Recuperado

cargar

Yo F =400A,

v R =900V,

R G. El =3.6Ω,

v El sector de la energía El valor de la presión de escape

t j = 25

100

El valor de la concentración

t j = 125

170

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

t j = 25

440

A. El

t j = 125

480

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

54.0

mJ

t j = 125

95.0

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por IGB) T)

0.057

El número de unidades

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por D) yodo)

0.110

El número de unidades

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

El número de unidades

Peso

Peso módulo

300

G. El

Esquema

image(c3756b8d25).png

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