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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD3600SGT170C4S,Módulo IGBT,módulo IGBT de alta corriente,STARPOWER

3600V 1700A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,Alta tensión, producido por El sistema de energía . 17Las demás 3600A.

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Suministro de energía ininterrumpible
  • Aerogeneradores

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las

Unidades

VCES

Voltagem del colector-emittente

1700

v

VGES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

CI

Corriente de colector@ TC=25℃

Corriente de colector@ TC=80℃

5200

A. El

3600

ICM(1)

Corriente Colectora Pulsada tp= 1ms

7200

A. El

IF

Diodo de corriente continua hacia adelante

3600

A. El

IFM

Corriente máxima directa del diodo

7200

A. El

PD

Disipación Máxima de Potencia @ Tj= 175℃

19.7

kw

Tj

Temperatura máxima de unión

175

TSTG

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

VISO (en inglés)

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Montaje

Tornillo de terminal de señal:M4

Tornillo de terminal de potencia:M8

1.8 a 2.1

8.0 a 10

N.M

Par

El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga

4.25 a 5.75

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo Nota

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

V (BR) CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

Tj=25°C

1700

v

El CIEM

Corriente de corte del colector

VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C. El valor de la presión de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire de la corriente de aire

5.0

El número de

El IGES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

VGE (h)

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

IC= 145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

VCE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

2.00

2.45

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj= 125℃

2.40

2.85

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

El número de

Cargo por puerta

VGE=- 15…+15V

42.0

El valor de la concentración

RGint

Resistor de puerta interno

Tj=25°C

0.5

Ω

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25℃

730

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

205

El Consejo

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

1510

El Consejo

TF

Tiempo de caída

185

El Consejo

El EON

Pérdida de conmutación de encendido

498

mJ

El número de personas

Pérdida de conmutación de apagado

1055

mJ

En el momento en que se inicia

Tiempo de retraso de encendido

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj= 125℃

785

El Consejo

tr

Tiempo de ascenso

225

El Consejo

El número de teléfono

Tiempo de retraso de apagado

1800

El Consejo

TF

Tiempo de caída

325

El Consejo

El EON

Pérdida de conmutación de encendido

746

mJ

El número de personas

Pérdida de conmutación de apagado

1451

mJ

Las

Capacidad de entrada

VCE = 25V, f = 1MHz,

VGE = 0V

317

NF (número de trabajo)

Coes

Capacidad de salida

13.2

NF (número de trabajo)

El Cres

Transferencia inversa

Capacidad

10.5

NF (número de trabajo)

ISC

Datos de la SC

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC= 1000V, VCEM≤1700V

14000

A. El

El LCE

Inductividad de alejamiento

10

nH

RCC’+EE ’

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.12

Características eléctricas del DIODE TC=25℃ salvo que se indique lo contrario

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

VF

Diodo hacia adelante

Voltaje

IF=3600A

Tj=25°C

1.80

2.20

v

Tj= 125℃

1.90

2.30

Qr

Cargo recuperado

IF=3600A,

VR=900V,

RGon=0.4Ω,

VGE=- 15V

Tj=25°C

836

El valor de la concentración

Tj= 125℃

1451

MIR

Corriente de recuperación inversa

Tj=25°C

2800

A. El

Tj= 125℃

3300

El Erec

Energía de recuperación inversa

Tj=25°C

590

mJ

Tj= 125℃

1051

Esquema

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