El valor de las emisiones de CO2
Breve introducción
Modulo IGBT , producido por StarPower. 1700V 300A. ¿Qué es eso?
Características
Típico Aplicaciones
En absoluto Máximo Calificaciones Te=25℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Descripción | El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las | Unidades |
VCES | Recolector-emittente Voltaje | 1700 | v |
VGFs | Puerta-Emisor Voltaje | ±20 | v |
CI | El colector Corriente @Tc=25℃ @Tc=80℃ | 550 | A. El |
300 | |||
ICM(1) | Pulsado El colector Corriente tp= 1ms | 600 | A. El |
Ir | Diodo Continuo Adelante Corriente | 300 | A. El |
IM | Diodo Máximo Adelante Corriente | 600 | A. El |
pp | Máximo Poder Disipación @Tj=175℃ | 2083 | W |
TSC | Es corto. CIRCUITO Resista. Tiempo @Tj =125℃ | 10 | μs |
Tjmax | Máximo Unión Temperatura | 175 | ℃ |
TSTG | Almacenamiento Temperatura Autonomía | -40 to+125 | ℃ |
valor I²t, Diodo | VR=0V,t=10ms,Tj=125℃ | 14500 | A²s |
VISO (en inglés) | El aislamiento Voltaje RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | v |
Montaje Par | Poder Terminal Tornillo :M6 | 2.5 a 5.0 | N.M |
Montaje Tornillo:M6 | 3.0 a 5.0 | N.M |
Eléctrico Características de El IGBT Te=25℃ a menos que de otro modo anotado
off Características
El símbolo | Parámetro | Prueba Condiciones | En el minuto . | Typ . | - ¿ Qué? . | Unidades |
BVcrs | Recolector-emittente ruptura Voltaje | VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃ | 1700 |
|
| v |
El CIEM | El colector Corte Corriente | VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25°C |
|
| 3.0 | El número de |
IGrs | Puerta-Emisor fuga Corriente | VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃ |
|
| 400 | NA |
on Características
El símbolo | Parámetro | Prueba Condiciones | En el minuto . | Es el tipo. | - ¿ Qué? . | Unidades |
Vcπ(h) | Puerta-Emisor Umbral Voltaje | Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃ | 5.2 | 5.8 | 6.4 | v |
VCE (sat) |
El colector a Emisor saturación Voltaje | Ic=300A,VGr=15V, T=25℃ |
| 2.0 |
|
v |
CI = 300A, VGr =15V. T=125℃ |
| 2.4 |
|
Conmutación Características
El símbolo | Parámetro | Prueba Condiciones | En el minuto . | Es el tipo. | - ¿ Qué? . | Unidades | |||
taon) | Enciende Retraso Tiempo | Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72, Vae=±15V, T=25℃ |
| 281 |
| El Consejo | |||
t | Elevación Tiempo |
| 82 |
| El Consejo | ||||
ta (o) | Apagado Retraso Tiempo |
| 801 |
| El Consejo | ||||
tr | Caída Tiempo |
Vcc=900V,Ic=300A, Rc=4.72, V=±15V T=25℃ |
| 121 |
| El Consejo | |||
El EON | Enciende Conmutación Pérdida |
| 70 |
| mJ | ||||
Eofr | Apagado Conmutación Pérdida |
| 65 |
| mJ | ||||
ta(on) | Enciende Retraso Tiempo |
Vcc=900V,Ic=300A, RG=4.72, Vc=±15V T=125℃ |
| 303 |
| El Consejo | |||
t | Elevación Tiempo |
| 103 |
| El Consejo | ||||
ta(om) | Apagado Retraso Tiempo |
| 1002 |
| El Consejo | ||||
tr | Caída Tiempo |
| 203 |
| El Consejo | ||||
El EON | Enciende Conmutación Pérdida |
| 105 |
| mJ | ||||
El EOR | Apagado Conmutación Pérdida |
| 94 |
| mJ | ||||
Las | Entrada Capacidad |
VCE = 25V, f = 1MHz, VGr=0V |
| 27.0 |
| NF (número de trabajo) | |||
Coes | Salida Capacidad |
| 1.1 |
| NF (número de trabajo) | ||||
El Cres | Inversa Transferencia Capacidad |
| 0.9 |
| NF (número de trabajo) | ||||
ISC |
SC Datos | tSC≤10μs,VGE=15V, T=125℃, Vcc=1000V VcrM≤1700V |
|
1200 |
|
A. El | |||
RGint | Interno Puerta Resistan CE |
|
| 2.5 |
| Ω | |||
LCr | Fugas Inductancia |
|
|
| 20 | nH | |||
RcC'+EE' | módulo Conductor Resistencia Terminal a Chip | TC=25℃ |
| 0.35 |
| m2 | |||
Eléctrico Características de Diodo Tc =25℃ a menos que de lo contrario nota D
El símbolo | Parámetro | Prueba Condiciones | En el minuto . | Es el tipo. | - ¿ Qué? . | Unidades | |
Realidad virtual | Diodo Adelante Voltaje | Iq=300A | Tj=25°C |
| 1.8 |
| v |
Ti=125℃ |
| 1.9 |
| ||||
¿Qué es? | Diodo Inversa Recuperación cargar |
Ir=300A, VR=900V, di/dt=-3600A/μs, VGr=-15V | T=25℃ |
| 77 |
| El valor de la concentración |
Tj=125°C |
| 131 |
| ||||
MIR | Diodo Pico Inversa Recuperación Corriente | Tj=25°C |
| 351 |
|
A. El | |
T=125℃ |
| 383 |
| ||||
Eree | Inversa Recuperación energía | Tj=25°C |
| 40 |
| mJ | |
Tj=125°C |
| 72 |
| ||||
Térmico Caracteristi CS
El símbolo | Parámetro | Es el tipo. | - ¿ Qué? . | Unidades |
Rac | Unión -a -Caso (El IGBT Parte , por 1/2 Modu El |
| 0.072 | El número de unidades |
Rac | Unión -a -Caso (Diodo Parte , P er 1/2 Módulo) |
| 0.13 | El número de unidades |
Roc | En el caso de los equipos de la categoría M2 (Conductivo grasa aplicado) | 0.035 |
| El número de unidades |
Peso | Peso de módulo | 300 |
| G. El |
Nuestro equipo de ventas profesional está esperando tu consulta.
Puedes seguir su lista de productos y hacer cualquier pregunta que te interese.
EN
