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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD225HTT120C7S, Módulo IGBT, 6 en un solo paquete, STARPOWER

1200V 225A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD225HTT120C7S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 225A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Fuente de alimentación ininterrumpida Y

El IGBT -El invertidor t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Valores nominales máximos

El símbolo

Descripción

GD225HTT120C7S

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente @ T j = 25

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta @ T j = 25

±20

v

Yo C

Corriente del colector @ t C = 25

@ T C =80

400

225

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

450

A. El

P tot

Disipación total de potencia @ T j = 175

1442

W

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1200

v

Yo El CES

El colector Corte -off

Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C =9.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25

5.0

5.8

6.5

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C =225A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

1.70

2.15

v

Yo C =225A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.00

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =225A, R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

251

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

89

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

550

El Consejo

t F

Tiempo de caída

125

El Consejo

e on

Enciende Conmutación Pérdida

/

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

/

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =225A, R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

305

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

100

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

660

El Consejo

t F

Tiempo de caída

162

El Consejo

e on

Enciende Conmutación Pérdida

15.1

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

35.9

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

16.0

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

0.84

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

0.73

NF (número de trabajo)

¿Qué es? G. El

Cargo por puerta

v CC = 600 V,I C =225A, v El sector de la energía =15V

2.1

El valor de la concentración

R El ginto

Resistor de puerta interno

3.3

Ω

Yo SC

Datos de la SC

t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V,

t j = 125 °C, v CC =900V, v El CEM No más de 1200 V

900

A. El

Diodo -El invertidor t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Valores nominales máximos

El símbolo

Descripción

GD225HTT120C7S

Unidades

v RRM

Voltaje de Inversión de Pico Repetitivo @ T j = 25

1200

v

Yo F

Corriente Directa de Avance @ T C =80

225

A. El

Yo El MFR

Corriente directa repetitiva de pico t P =1 ms

450

A. El

Características Valores

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =225A,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

t j = 25

1.65

2.15

v

t j = 125

1.65

¿Qué es? R

Cargo recuperado

Yo F =225A,

v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

R G. El =3.3Ω,

v El sector de la energía El valor de la presión de escape

t j = 25

22

El valor de la concentración

t j = 125

43

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

t j = 25

160

A. El

t j = 125

198

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

11.2

mJ

t j = 125

19.9

Eléctrico Características de NTC t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

disipación de potencia

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

Modulo IGBT

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v ISO

Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

v

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a Chip @ T C = 25

1.10

R θ JC, el otro

Unión-a-Carcasa (por IGBT-inversor) Unión-a-Carcasa (por DIODO-inversor er)

0.104

0.173

El número de unidades

R θ CS

En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir)

0.005

El número de unidades

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t El GST

Temperatura de almacenamiento Autonomía

-40

125

Montaje Par

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

Montaje El motor de la unidad de carga

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G. El

Peso de módulo

910

G. El

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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