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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD200SGL120C2S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD200SGL120C2S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

  • Alta capacidad de cortocircuito, auto limitándose a 6*IC
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Soldadoras electrónicas en f el hasta 20kHz

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

GD200SGL120C2S

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

± 20

v

Yo C

Corriente Colectora @ T C = 25

@ T C = 100

400

A. El

200

Yo cm (1)

Corriente de colector pulsada nt

400

A. El

Yo F

Diodo de corriente continua hacia adelante

200

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente directa máxima del diodo alquiler

400

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j = 175

1875

W

t SC

Tiempo de resistencia a cortocircuito @ T j = 125

10

μs

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t j

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

Yo 2Valor t, Diodo

v R =0V, t=10ms, T j = 125

6900

A. El 2s

v ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Par de montaje

El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:

Entre 2,5 y 5

N.M

Montaje Tornillo:M6

3 a 6

N.M

Notas:

(1) Repetitivo Calificación : Pulso Ancho limitado Por el - ¿ Qué? . Unión Temperatura

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

BV El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1200

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas

Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas

Voltaje

Yo C =4 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25

5

6.2

7.0

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

1.8

v

Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.0

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =200A,

R G. El =5Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V,

110

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

60

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

t j = 25

360

El Consejo

t F

Tiempo de caída

v CC = 600 V,I C =200A,

R G. El =5Ω, V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V,

t j = 25

60

El Consejo

e on

Conmutación de encendido Pérdida

18

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

15

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C =200A,

R G. El =5Ω,V El sector de la energía = ± 15 V,

t j = 125

120

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

60

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

420

El Consejo

t F

Tiempo de caída

70

El Consejo

e on

Conmutación de encendido Pérdida

21

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

18

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE =25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

18.0

NF (número de trabajo)

C Es

Capacidad de salida

1.64

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

0.72

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t s C 10μs, V El sector de la energía =15 V,

t j = 125 , V CC =900V,

v El CEM 1200V

1080

A. El

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC ’+ EE

Modulo de plomo

resistencia, terminal a Chip

t C = 25

0.18

m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F =200A

t j = 25

2.0

2.2

v

t j = 125

2.2

2.3

¿Qué es? R

Diodo inverso

Cargo por recuperación

Yo F =200A,

v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

di/dt=-6000A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V

t j = 25

24

El valor de la concentración

t j = 125

32

Yo RM

Pico de diodo

Recuperación inversa Corriente

t j = 25

240

A. El

t j = 125

280

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

6

mJ

t j = 125

10

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte IGBT, pe r módulo)

0.08

El número de unidades

R θ JC, el otro

Unión a caja (parte DIODE, por modul o)

0.17

El número de unidades

R θ CS

Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)

0.035

El número de unidades

Peso

Peso de módulo

310

G. El

Esquema

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