GD200HFT120C2S_T4F,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD200HFT120C2S_T4F

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

Aplicaciones típicas

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Descripción	GD200HFT120C2S_T4F	Unidades
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	v
Yo C	Corriente del colector @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃	300 200	A. El
Yo cm	Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms	400	A. El
Yo F	Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler	200	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	400	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T j =1 75℃	1119	W
t jmax	Temperatura máxima de unión	175	℃
t el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	℃
t El GST	Temperatura de almacenamiento Autonomía	-40 a +125	℃
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto	4000	v
Montaje Par	El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente: El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga	Entre 2,5 y 5.0 3,0 a 5.0	N.M
Peso	Peso de módulo	300	G. El

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v (BR )El CES	Recolector-emittente Voltaje de ruptura	t j = 25 ℃	1200			v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sobre las características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =7.6 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃	5.1	5.8	6.4	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		2.05	2.45	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃		2.40		v

Cambiar de características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =4.7Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		362		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			112		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			378		El Consejo
t F	Tiempo de caída			115		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			17.4		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			9.50		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =4.7Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125℃		364		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			113		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			405		El Consejo
t F	Tiempo de caída			125		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			21.5		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			15.4		mJ
C ies	Capacidad de entrada	v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		12.3		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.69		NF (número de trabajo)
Yo SC	Datos de la SC	t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V, t j = 125 °C, v CC =900V, v El CEM No más de 1200 V		800		A. El
R El ginto	Resistencia de la puerta interna el			3.8		Ω
L CE	Inductividad de alejamiento				20	nH
R CC+EE	Modulo de plomo Resistencia Terminal a el chip			0.35		MΩ

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo		Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 25 ℃		1.95	2.35	v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 125 ℃		2.05		v
¿Qué es? R	Recuperado cargar	Yo F =200A, v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. R G. El = 4,7Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape	t j = 25 ℃		10.1		El valor de la concentración
¿Qué es? R	Recuperado cargar		t j = 125 ℃		21.5		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 25 ℃		113		A. El
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 125 ℃		170		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 25 ℃		5.07		mJ
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 125 ℃		13.6		mJ

Características térmicas ics

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	Unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por IGB) T)		0.134	El número de unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por D) yodo)		0.194	El número de unidades
R θ CS	En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir)	0.035		El número de unidades