GD200HFL120C8SN, Módulo IGBT, STARPOWER

GD200HFL120C8SN,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD200HFL120C8SN

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

Aplicaciones típicas

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Descripción	GD200HFL120C8SN	Unidades
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	v
Yo C	Corriente del colector @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃	400 200	A. El
Yo cm	Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms	400	A. El
Yo F	Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler	200	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	400	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T j =1 75℃	1724	W
t jmax	Temperatura máxima de unión	175	℃
t el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	℃
t El GST	Temperatura de almacenamiento Autonomía	-40 a +125	℃
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto	2500	v
Montaje Par	El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente: Tornillo de montaje: M5	Entre 2,5 y 3.5 Entre 2,5 y 3.5	N.M

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v (BR )El CES	Recolector-emittente Voltaje de ruptura	t j = 25 ℃	1200			v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sobre las características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =8.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃	5.0	6.2	7.0	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		1.90	2.35	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃		2.10		v

Cambiar de características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		365		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			79		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			396		El Consejo
t F	Tiempo de caída			165		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			8.00		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			14.0		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =3.3Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃		372		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			83		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			420		El Consejo
t F	Tiempo de caída			293		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			11.0		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			22.3		mJ
C ies	Capacidad de entrada	v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		14.9		NF (número de trabajo)
C Es	Capacidad de salida			1.04		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.68		NF (número de trabajo)
Yo SC	Datos de la SC	t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V, t j = 125 °C, v CC =900V, v El CEM No más de 1200 V		1200		A. El
R El ginto	Resistencia de la puerta interna el			1.0		Ω
L CE	Inductividad de alejamiento				22	nH
R CC+EE	Modulo de plomo Resistencia Terminal a el chip			0.65		MΩ

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo		Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F (chip)	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 25 ℃		1.80	2.25	v
v F (chip)	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 125 ℃		1.85		v
¿Qué es? R	Recuperado cargar	Yo F =200A, v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. R G. El =3.3Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape	t j = 25 ℃		17.2		El valor de la concentración
¿Qué es? R	Recuperado cargar		t j = 125 ℃		35.3		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 25 ℃		160		A. El
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 125 ℃		213		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 25 ℃		11.2		mJ
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 125 ℃		21.2		mJ

Características térmicas ics

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	Unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por IGB) T)		0.087	El número de unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por D) yodo)		0.160	El número de unidades
R θ CS	En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir)	0.046		El número de unidades
Peso	Peso módulo	200		G. El