GD200HFL120C8S, Módulo IGBT, STARPOWER

GD200HFL120C8S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD200HFL120C8S

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

Aplicaciones típicas

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Descripción	GD200HFL120C8S	Unidades
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	± 20	v
Yo C	Corriente Colectora @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	400	A. El
Yo C	Corriente Colectora @ T C = 25℃ @ T C =80 ℃	200	A. El
Yo cm (1)	Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms	400	A. El
Yo F	Diodo de corriente continua hacia adelante	200	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	400	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T j = 175℃	1402	W
t jmax	Temperatura máxima de unión	175	℃
t el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +150	℃
t El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	℃
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min	2500	v
Montaje Par	El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente:	Entre 2,5 y 5.0	N.M
Montaje Par	Montaje Tornillo:M6	3,0 a 5.0	N.M

Notas:

(1) Repetitivo Calificación : Pulso Ancho limitado Por el - ¿ Qué? . Unión Temperatura

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v (BR )El CES	Recolector-emittente Voltaje de ruptura	t j = 25 ℃	1200			v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sobre las características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =8.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃	5.0	6.2	7.0	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		1.90	2.35	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125℃		2.10		v

Cambiar de características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =5.1Ω,V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 25 ℃		437		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			75		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			436		El Consejo
t F	Tiempo de caída			165		El Consejo
e on	Conmutación de encendido Pérdida			10.0		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			15.0		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =5.1Ω,V El sector de la energía = ± de una potencia de 15 V, t j = 125℃		445		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			96		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			488		El Consejo
t F	Tiempo de caída			258		El Consejo
e on	Conmutación de encendido Pérdida			15.9		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			22.3		mJ
C ies	Capacidad de entrada	v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		14.9		NF (número de trabajo)
C Es	Capacidad de salida			1.04		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.68		NF (número de trabajo)
Yo SC	Datos de la SC	t s C ≤ 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ ,V CC =900V, v El CEM ≤ 1200V		1200		A. El
R El ginto	Resistencia interna de puerta tancia			1.0		Ω
L CE	Inductividad de alejamiento				26	nH
R CC ’+ EE ’	Resistencia de plomo del módulo ce, Terminal a el chip	t C = 25 ℃		0.62		m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo		Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 25 ℃		1.82	2.25	v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 125℃		1.95		v
¿Qué es? R	Cargo recuperado	Yo F =200A, v R = 600 V, di/dt=-2370A/μs, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V	t j = 25 ℃		16.6		El valor de la concentración
¿Qué es? R	Cargo recuperado		t j = 125℃		29.2		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 25 ℃		156		A. El
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 125℃		210		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 25 ℃		9.3		mJ
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 125℃		16.0		mJ

Características térmicas ics

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	Unidades
R θ JC, el otro	Enlace a caso (por IG) BT)		0.107	El número de unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por D) yodo)		0.198	El número de unidades
R θ CS	Caja a disipador (grasa conductiva a plicada)	0.046		El número de unidades
Peso	Peso de módulo	200		G. El