GD200HFK60C8SN, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT 1200V

GD200HFK60C8SN, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD200HFK60C8SN

Introducción
Esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

Tecnología NPT IGBT
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Robusto con un rendimiento ultra rápido
Cuadrado RBSOA
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

Máquina de soldadura eléctrica
SMPS
UPS

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Descripción	GD200HFK60C8SN	Unidades
v El CES	Voltagem del colector-emittente	600	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	v
Yo C	Corriente del colector @ t C = 25 ℃ @ T C =80 ℃	283 200	A. El
Yo cm	Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms	400	A. El
Yo F	Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler	200	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	400	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T j =1 50℃	714	W
t jmax	Temperatura máxima de unión	150	℃
t el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +125	℃
t El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	℃
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto	2500	v
Montaje Par	El sistema de control de la velocidad de la corriente de corriente será el siguiente: Tornillo de montaje: M5	Entre 2,5 y 3.5 Entre 2,5 y 3.5	N.M
Peso	Peso de módulo	200	G. El

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v (BR )El CES	Recolector-emittente Voltaje de ruptura	t j = 25 ℃	600			v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃			1.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sobre las características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =500μA, v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃	3.5	4.5	5.5	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		1.80	2.25	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃		2.10		v

Cambiar de características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 300V,I C =200A, R G. El =6.8Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		320		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			123		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			318		El Consejo
t F	Tiempo de caída			90		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			2.79		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			5.08		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 300V,I C =200A, R G. El =6.8Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃		339		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			125		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			344		El Consejo
t F	Tiempo de caída			113		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			3.00		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			6.95		mJ
C ies	Capacidad de entrada	v CE =30V,f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		16.9		NF (número de trabajo)
C Es	Capacidad de salida			0.88		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.42		NF (número de trabajo)
Yo SC	Datos de la SC	t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V, t j = 125 °C, v CC El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El CEM No más de 600 V		1800		A. El
¿Qué es? G. El	Cargo por puerta	v CC =400V,I C =200A, v El sector de la energía =15V		0.72		El valor de la concentración
R El ginto	Resistencia de la puerta interna el			2.35		Ω
L CE	Inductividad de alejamiento				22	nH
R CC+EE	Modulo de plomo Resistencia Terminal a el chip			0.65		MΩ

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo		Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 25 ℃		1.33	1.78	v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F =200A	t j = 125 ℃		1.30		v
¿Qué es? R	Recuperado cargar	Yo F =200A, v R =300V, R G. El =6.8Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape	t j = 25 ℃		9.3		El valor de la concentración
¿Qué es? R	Recuperado cargar		t j = 125 ℃		13.2		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 25 ℃		112		A. El
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación		t j = 125 ℃		125		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 25 ℃		2.09		mJ
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 125 ℃		3.22		mJ

Características térmicas ics

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	Unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por IGB) T)		0.175	El número de unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por D) yodo)		0.317	El número de unidades