GD200HFK120C8SN, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT 1200V

GD200HFK120C8SN, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD200HFK120C8SN

Introducción
Esquema
Esquema del circuito equivalente

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1200V 200A. ¿ Qué?

Características

Tecnología NPT IGBT
Baja pérdida de conmutación
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
Cuadro de baja inductancia
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

Inversores para motor de transmisión
Con un volumen de carga de más de 300 W
Sistema de alimentación ininterrumpida

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo	Descripción	Valores	unidad
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	±20	v
Yo C	Corriente Colectora @ T C = 25 o C @ T C =80 o C	300 200	A. El
Yo cm	Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms	400	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T j = 150 o C	1157	W

Diodo

El símbolo	Descripción	Valores	unidad
v RRM	Voltado inverso de pico repetitivo	1200	v
Yo F	Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler	200	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms	400	A. El

módulo

El símbolo	Descripción	Valores	unidad
t jmax	Temperatura máxima de unión	150	o C
t el juego	Temperatura de funcionamiento de las uniones	-40 a +125	o C
t El GST	Temperatura de almacenamiento Autonomía	-40 a +125	o C
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto	2500	v

El IGBT Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C		2.15	2.60	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C =200A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 o C		2.65		v
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C =2.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 o C	4.8	5.7	6.3	v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 o C			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 o C			400	NA
R El ginto	Resistencia de la puerta interna el			1.0		Ω
C ies	Capacidad de entrada	v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		12.9		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			0.82		NF (número de trabajo)
¿Qué es? G. El	Cargo por puerta	v El sector de la energía - ¿ Qué? 15...+15V		2.05		El valor de la concentración
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =5.1Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C		373		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			104		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			459		El Consejo
t F	Tiempo de caída			168		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			12.9		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			17.1		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C =200A, R G. El =5.1Ω,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125o C		373		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			105		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			475		El Consejo
t F	Tiempo de caída			197		El Consejo
e on	Enciende Conmutación Pérdida			17.4		mJ
e off	Cambiar el encendido Pérdida			23.7		mJ
Yo SC	Datos de la SC	t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 o C, V CC =900V, v El CEM No más de 1200 V		1500		A. El

Diodo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo C =200A,V El sector de la energía =0V,T j = 25 o C		1.65	2.05	v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo C =200A,V El sector de la energía =0V,T j = 125 o C		1.65		v
¿Qué es? R	Recuperado cargar	v R = 600 V,I F =200A, -di/dt=2300A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 25 o C		17.7		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			145		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía			8.1		mJ
¿Qué es? R	Recuperado cargar	v R = 600 V,I F =200A, -di/dt=2300A/μs,V El sector de la energía - ¿ Qué? 15V t j = 125 o C		34.0		El valor de la concentración
Yo RM	Pico invertido corriente de recuperación			190		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía			16.7		mJ

módulo Características t C = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	unidad
L CE	Inductividad de alejamiento			22	nH
R CC+EE	Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a Chip		0.65		MΩ
R el JC	Enlace a la caja (por IGB) T) Junción-a-Caja (por D iodo)			0.108 0.230	El número de unidades
R el CH	En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)		0.135 0.288 0.046		El número de unidades
m	el par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G. El	Peso de módulo		200		G. El