GD1200HFT120C3S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT 1200V

GD1200HFT120C3S, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 1200A

Brand:

El sistema de energía

Spu:

GD1200HFT120C3S

Introducción
Esquema

Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1200A.

Características

Bajo VCE(sat) trinchera El IGBT Tecnología
Capacidad de cortocircuito de 10 μs
VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
Cuadro de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
Cobre aislado Placa de base utilizando El número de unidades Tecnología

Aplicaciones típicas

Controladores de inversores de CA
Suministro de energía ininterrumpible
Aerogeneradores

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Descripción	GD1200HFT120C3S	Unidades
v El CES	Voltagem del colector-emittente	1200	v
v El GES	Voltagem del emisor de la puerta	± 20	v
Yo C	@ T C = 25 ℃ @ T C =80 ℃	1800	A. El
Yo C	@ T C = 25 ℃ @ T C =80 ℃	1200	A. El
Yo cm (1)	Corriente Colectora Pulsada t P = 1 ms	2400	A. El
Yo F	Diodo de corriente continua hacia adelante	1200	A. El
Yo - ¿ Qué?	Corriente directa máxima del diodo alquiler	2400	A. El
P D	Disipación de potencia máxima @ T j = 150℃	5.2	kw
t j	Temperatura máxima de unión	150	℃
t El GST	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a +125	℃
v ISO	El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1min	2500	v
Montaje	Terminal de señal Tornillo:M4 Terminal de energía Tornillo:M8	1.8 a 2.1 8.0 a 10	N.M
Par	Montaje Tornillo:M6	4.25 a 5.75

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v (BR )El CES	Recolector-emittente Voltaje de ruptura	t j = 25 ℃	1200			v
Yo El CES	El colector Corte -off Corriente	v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃			5.0	El número de
Yo El GES	Fugas de los emisores de puertas Corriente	v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sobre las características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v El sector de la energía (th )	Umbral de emisor de puertas Voltaje	Yo C = 48 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃		1.70	2.15	v
v CE (sat)	Recolector al emisor Voltagem de saturación	Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125℃		2.00	2.45	v

Cambiar de características

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
¿Qué es? G. El	Cargo por puerta	v El sector de la energía - ¿ Qué? 15...+15V		11.5		El valor de la concentración
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C = 1200A, R ¿ Qué pasa? = 2,4Ω, R - ¿ Qué? =0.82Ω, v El sector de la energía = ± 15V,T j = 25 ℃		600		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			230		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			820		El Consejo
t F	Tiempo de caída			150		El Consejo
e on	Enciende Pérdida de conmutación			/		mJ
e off	Pérdida de conmutación de apagado			/		mJ
t D (on )	Tiempo de retraso de encendido	v CC = 600 V,I C = 1200A, R ¿ Qué pasa? = 2,4Ω, R - ¿ Qué? =0.82Ω, v El sector de la energía = ± 15V,T j = 125℃		660		El Consejo
t R	Tiempo de ascenso			220		El Consejo
t D (off )	Apagado Tiempo de retraso			960		El Consejo
t F	Tiempo de caída			180		El Consejo
e on	Enciende Pérdida de conmutación			246		mJ
e off	Pérdida de conmutación de apagado			191		mJ
C ies	Capacidad de entrada	v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente		86.1		NF (número de trabajo)
C Es	Capacidad de salida			4.50		NF (número de trabajo)
C res	Transferencia inversa Capacidad			3.90		NF (número de trabajo)
Yo SC	Datos de la SC	t s C ≤ 10 μs, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ ,V CC =900V, v El CEM ≤ 1200V		4800		A. El
L CE	Inductividad de alejamiento			20		nH
R CC ’+ EE ’	Resistencia de plomo del módulo e, Terminal a el chip	t C = 25 ℃		0.18		m Ω

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado

El símbolo	Parámetro	Condiciones de ensayo		Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidades
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F = 1200A	t j = 25 ℃		1.65	2.15	v
v F	Diodo hacia adelante Voltaje	Yo F = 1200A	t j = 125℃		1.65	2.15	v
¿Qué es? R	Diodo inverso Cargo por recuperación	Yo F = el número de unidades de carga de la unidad de carga v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. R ¿ Qué pasa? = 2,4Ω, v El sector de la energía - ¿ Qué? 15V	t j = 25 ℃		69		El valor de la concentración
¿Qué es? R	Diodo inverso Cargo por recuperación		t j = 125℃		129		El valor de la concentración
Yo RM	Pico de diodo Recuperación inversa Corriente		t j = 25 ℃		485		A. El
Yo RM	Pico de diodo Recuperación inversa Corriente		t j = 125℃		623		A. El
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 25 ℃		32		mJ
e Reconocimiento	Recuperación inversa energía		t j = 125℃		60		mJ

Características térmicas ics

El símbolo	Parámetro	Es el tipo.	Máx.	Unidades
R θ JC, el otro	Enlace a la caja (por IGB) T)		24	K/kW
R θ JC, el otro	Junción-a-Caja (por D iodo)		43	K/kW
R θ CS	En el caso de los equipos de la categoría M2 (Grasa conductora aplicada, según Módulo)	6		K/kW
Peso	Peso de módulo	1500		G. El