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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD1200HFL120C3S,Módulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V y 1200A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD1200HFL120C3S
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1200A.

Características

  • Bajo VCE(sat) SPT++ El IGBT Tecnología
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con positivo Temperatura Coeficiente
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Típico Aplicaciones

  • Conversores de alta potencia
  • Conducidores de automóviles
  • Aerogeneradores

En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Descripción

GD1200HFL120C3S

Unidades

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

Yo C

Corriente del colector @ t C = 25

@ T C = 100

1900

1200

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

2400

A. El

Yo F

Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler

1200

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms

2400

A. El

P D

Disipación de potencia máxima @ T j =1 75

6.41

kw

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

t el juego

Temperatura máxima de unión

-40 a +150

t El GST

Temperatura de almacenamiento Autonomía

-40 a +125

v ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto

4000

v

m

el par de conexión de la terminal, Tornillo M4

1.8 a 2.1

el par de conexión de la terminal, El tornillo M8

8.0 a 10

N.M

Torque de montaje Tornillo M6

4.25 a 5.75

G. El

Peso de módulo

1500

G. El

Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 a menos que de otro modo anotado

Desactivado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v (BR )El CES

Recolector-emittente

Voltaje de ruptura

t j = 25

1200

v

Yo El CES

El colector Corte -off

Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25

5.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25

400

NA

Sobre las características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C =48.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25

5.4

7.4

v

v CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25

1.95

2.40

v

Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125

2.10

Cambiar de características

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = el número de unidades de carga de la unidad de carga R ¿ Qué pasa? =2. 1Ω,R - ¿ Qué? =4.5Ω, v El sector de la energía =±15 V,T j = 25

200

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

135

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

1050

El Consejo

t F

Tiempo de caída

130

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

136

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

160

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = el número de unidades de carga de la unidad de carga R ¿ Qué pasa? =2. 1Ω,R - ¿ Qué? =4.5Ω, v El sector de la energía =±15 V,T j = 125

220

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

190

El Consejo

t D (off )

Apagado Tiempo de retraso

1150

El Consejo

t F

Tiempo de caída

140

El Consejo

e on

Enciende Conmutación

Pérdida

184

mJ

e off

Cambiar el encendido

Pérdida

208

mJ

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f=1MHz,

v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

84.8

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa

Capacidad

3.76

NF (número de trabajo)

Yo SC

Datos de la SC

t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V,

t j = 125 °C, v CC =900V, v El CEM No más de 1200 V

4500

A. El

R El ginto

Resistencia de la puerta interna el

2.7

Ω

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Modulo de plomo

Resistencia

Terminal a el chip

0.18

Eléctrico Características de Diodo t C = 25 a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante

Voltaje

Yo F = 1200A

t j = 25

1.65

2.20

v

t j = 125

1.75

¿Qué es? R

Recuperado

cargar

Yo F = el número de unidades de carga de la unidad de carga

v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

R ¿ Qué pasa? =2. 1Ω,

v El sector de la energía El valor de la presión de escape

t j = 25

400

El valor de la concentración

t j = 125

680

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

t j = 25

1400

A. El

t j = 125

1840

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

t j = 25

160

mJ

t j = 125

296

Características térmicas ics

El símbolo

Parámetro

Es el tipo.

Máx.

Unidades

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por IGB) T)

23.4

K/kW

R θ JC, el otro

Enlace a la caja (por D) yodo)

46.1

K/kW

R θ CS

En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir)

6

K/kW

Esquema

image(91c310c414).png

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