Modulo IGBT, 1200V y 1200A
Breve introducción
Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1200A.
Características
Típico Aplicaciones
En absoluto Máximo Calificaciones t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Descripción | GD1200HFL120C3S | Unidades |
v El CES | Voltagem del colector-emittente | 1200 | v |
v El GES | Voltagem del emisor de la puerta | ±20 | v |
Yo C | Corriente del colector @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 1900 1200 | A. El |
Yo cm | Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms | 2400 | A. El |
Yo F | Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler | 1200 | A. El |
Yo - ¿ Qué? | Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms | 2400 | A. El |
P D | Disipación de potencia máxima @ T j =1 75℃ | 6.41 | kw |
t jmax | Temperatura máxima de unión | 175 | ℃ |
t el juego | Temperatura máxima de unión | -40 a +150 | ℃ |
t El GST | Temperatura de almacenamiento Autonomía | -40 a +125 | ℃ |
v ISO | El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 En el minuto | 4000 | v |
m | el par de conexión de la terminal, Tornillo M4 | 1.8 a 2.1 |
|
el par de conexión de la terminal, El tornillo M8 | 8.0 a 10 | N.M | |
Torque de montaje Tornillo M6 | 4.25 a 5.75 |
| |
G. El | Peso de módulo | 1500 | G. El |
Eléctrico Características de El IGBT t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
Desactivado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
v (BR )El CES | Recolector-emittente Voltaje de ruptura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| v |
Yo El CES | El colector Corte -off Corriente | v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | El número de |
Yo El GES | Fugas de los emisores de puertas Corriente | v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sobre las características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
v El sector de la energía (th ) | Umbral de emisor de puertas Voltaje | Yo C =48.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 ℃ | 5.4 |
| 7.4 | v |
v CE (sat) |
Recolector al emisor Voltagem de saturación | Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 ℃ |
| 1.95 | 2.40 |
v |
Yo C = 1200 A, V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 ℃ |
| 2.10 |
|
Cambiar de características
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
t D (on ) | Tiempo de retraso de encendido |
v CC = 600 V,I C = el número de unidades de carga de la unidad de carga R ¿ Qué pasa? =2. 1Ω,R - ¿ Qué? =4.5Ω, v El sector de la energía =±15 V,T j = 25 ℃ |
| 200 |
| El Consejo |
t R | Tiempo de ascenso |
| 135 |
| El Consejo | |
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso |
| 1050 |
| El Consejo | |
t F | Tiempo de caída |
| 130 |
| El Consejo | |
e on | Enciende Conmutación Pérdida |
| 136 |
| mJ | |
e off | Cambiar el encendido Pérdida |
| 160 |
| mJ | |
t D (on ) | Tiempo de retraso de encendido |
v CC = 600 V,I C = el número de unidades de carga de la unidad de carga R ¿ Qué pasa? =2. 1Ω,R - ¿ Qué? =4.5Ω, v El sector de la energía =±15 V,T j = 125℃ |
| 220 |
| El Consejo |
t R | Tiempo de ascenso |
| 190 |
| El Consejo | |
t D (off ) | Apagado Tiempo de retraso |
| 1150 |
| El Consejo | |
t F | Tiempo de caída |
| 140 |
| El Consejo | |
e on | Enciende Conmutación Pérdida |
| 184 |
| mJ | |
e off | Cambiar el encendido Pérdida |
| 208 |
| mJ | |
C ies | Capacidad de entrada | v CE = 25V, f=1MHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente |
| 84.8 |
| NF (número de trabajo) |
C res | Transferencia inversa Capacidad |
| 3.76 |
| NF (número de trabajo) | |
Yo SC | Datos de la SC | t P ≤ 10 μs, V El sector de la energía =15 V, t j = 125 °C, v CC =900V, v El CEM No más de 1200 V |
| 4500 |
| A. El |
R El ginto | Resistencia de la puerta interna el |
|
| 2.7 |
| Ω |
L CE | Inductividad de alejamiento |
|
| 20 |
| nH |
R CC+EE | Modulo de plomo Resistencia Terminal a el chip |
|
|
0.18 |
|
MΩ |
Eléctrico Características de Diodo t C = 25 ℃ a menos que de otro modo anotado
El símbolo | Parámetro | Condiciones de ensayo | Mín. | Es el tipo. | Máx. | Unidades | |
v F | Diodo hacia adelante Voltaje | Yo F = 1200A | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.20 | v |
t j = 125 ℃ |
| 1.75 |
| ||||
¿Qué es? R | Recuperado cargar | Yo F = el número de unidades de carga de la unidad de carga v R El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. R ¿ Qué pasa? =2. 1Ω, v El sector de la energía El valor de la presión de escape | t j = 25 ℃ |
| 400 |
| El valor de la concentración |
t j = 125 ℃ |
| 680 |
| ||||
Yo RM | Pico invertido corriente de recuperación | t j = 25 ℃ |
| 1400 |
| A. El | |
t j = 125 ℃ |
| 1840 |
| ||||
e Reconocimiento | Recuperación inversa energía | t j = 25 ℃ |
| 160 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 296 |
|
Características térmicas ics
El símbolo | Parámetro | Es el tipo. | Máx. | Unidades |
R θ JC, el otro | Enlace a la caja (por IGB) T) |
| 23.4 | K/kW |
R θ JC, el otro | Enlace a la caja (por D) yodo) |
| 46.1 | K/kW |
R θ CS | En el caso de los productos de la categoría M2 o M3, el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M2 y M3 será el valor de las emisiones de CO2 de los productos de la categoría M3. (Mentir) | 6 |
| K/kW |
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