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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD1000HFA120C6S,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 1000A

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 1000A.

Características

  • Bajo V CE (sat) IGBT de trinchera T tecnología
  • capacidad de cortocircuito
  • v CE (sat ) con positivo Temperatura Coeficiente
  • Máximo Temperatura de unión 175o C
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparalelo
  • Aislado Cobre el pinfin Placa de base utilizando El número de personas Tecnología

Típico Aplicaciones

  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

Descripción

Valores

unidad

v El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

v

v El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

v

Yo CN

El colector Cu implementado Renta

1000

A. El

Yo C

Corriente Colectora @ T F = 75 o C

765

A. El

Yo cm

Corriente Colectora Pulsada t P =1 ms

2000

A. El

P D

Disposición máxima de energía ation @ t F = 75 o C ,t j = 175 o C

1515

W

Diodo

El símbolo

Descripción

Valores

unidad

v RRM

Volt inverso de pico repetitivo Edad

1200

v

Yo FN

El colector Cu implementado Renta

1000

A. El

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu Renta

765

A. El

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t P =1 ms

2000

A. El

Yo FSM

Corriente de avance de sobretensión t P =10ms @ t j = 25 o C @T j =150C

4100

3000

A. El

Yo 2t

Yo 2t-valor,t P =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A. El 2s

módulo

El símbolo

Descripción

valor

unidad

t jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

t el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

t El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

v ISO

Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

v

El IGBT Características t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

v CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C =1000A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 25 o C

1.45

1.90

v

Yo C =1000A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 125 o C

1.65

Yo C =1000A,V El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. t j = 175 o C

1.80

v El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

Yo C =24.0 El número de ,v CE = v El sector de la energía , t j = 25 o C

5.5

6.3

7.0

v

Yo El CES

El colector Corte -off Corriente

v CE = v El CES ,v El sector de la energía =0V, t j = 25 o C

1.0

El número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

v El sector de la energía = v El GES ,v CE =0V, t j = 25 o C

400

NA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0.5

Ω

C ies

Capacidad de entrada

v CE = 25V, f = 100 kHz, v El sector de la energía El valor de la energía de la corriente

51.5

NF (número de trabajo)

C res

Transferencia inversa Capacidad

0.36

NF (número de trabajo)

¿Qué es? G. El

Cargo por puerta

v El sector de la energía El valor de la carga de la corriente eléctrica

13.6

El valor de la concentración

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 900A, R G. El =0.51Ω, L s =40nH, v El sector de la energía El valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

t j = 25 o C

330

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

140

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

842

El Consejo

t F

Tiempo de caída

84

El Consejo

e on

Enciende Conmutación Pérdida

144

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

87.8

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 900A, R G. El =0.51Ω, L s =40nH, v El sector de la energía El valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

t j = 125 o C

373

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

155

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

915

El Consejo

t F

Tiempo de caída

135

El Consejo

e on

Enciende Conmutación Pérdida

186

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

104

mJ

t D (on )

Tiempo de retraso de encendido

v CC = 600 V,I C = 900A, R G. El =0.51Ω, L s =40nH, v El sector de la energía El valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a:

t j = 175 o C

390

El Consejo

t R

Tiempo de ascenso

172

El Consejo

t No se puede

Apagado Tiempo de retraso

950

El Consejo

t F

Tiempo de caída

162

El Consejo

e on

Enciende Conmutación Pérdida

209

mJ

e off

Cambiar el encendido Pérdida

114

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P ≤8μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

t j = 150 o C, V CC El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El CEM 1200V

3200

A. El

t P ≤ 6 μs, v El sector de la energía El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

t j = 175 o C, V CC El valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. v El CEM 1200V

3000

A. El

Diodo Características t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidades

v F

Diodo hacia adelante Voltaje

Yo F =1000A,V El sector de la energía =0V,T j = 25o C

1.60

2.05

v

Yo F =1000A,V El sector de la energía =0V,T j = 125 o C

1.70

Yo F =1000A,V El sector de la energía =0V,T j = 175 o C

1.60

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4930A/μs,V El sector de la energía =-8V, L s =40 nH ,t j = 25 o C

91.0

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

441

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

26.3

mJ

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4440A/μs,V El sector de la energía =-8V, L s =40 nH ,t j = 125 o C

141

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

493

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

42.5

mJ

¿Qué es? R

Cargo recuperado

v R = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4160A/μs,V El sector de la energía =-8V, L s =40 nH ,t j = 175 o C

174

El valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

corriente de recuperación

536

A. El

e Reconocimiento

Recuperación inversa energía

52.4

mJ

NTC Características t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

t C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Poder

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

módulo Características t F = 25 o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

unidad

L CE

Inductividad de alejamiento

20

nH

R CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.80

R el JF

Unión -a -Refrigeración El fluido (PerIGBT )Unión a Líquido de Enfriamiento (por Di iodo) V/ T=10,0 DM 3/En el minuto ,t F = 75 o C

0.066 0.092

El número de unidades

m

el par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje El tornillo M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G. El

Peso de módulo

400

G. El

Esquema

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