IGBT Modulu 3300V

Parametr

سیمبول

Şərtlər

miçində

max

Birlik

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

DC Kollektor Cərəyanı

IC

TC =80 °C

1200

A

پيك كولكتور آخينليغي

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

2400

A

Qapı emitter gərginliyi

VGE

-20

20

V

Cəmi güc itkisi

Ptot

TC =25°C, hər açar(IGBT)

10500

W

DC irəliləyici cərəyan

İF

1200

A

اوج جلو جریان

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

سورونج جریان

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, yarım sinus dalğası

9000

A

IGBT Qısa Dövr SOA

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

10

µs

İzolyasiya gərginliyi

ویزول

1 dəq, f = 50 Hz

10200

V

Birlik temperaturu

Tvj

150

°C

Birlik işləmə temperaturu

Tvj(op)

-50

125

°C

Kasa temperaturu

TC

-50

125

°C

yaddaş temperaturu

TSTG

-50

125

°C

Quraşdırma torkları

M s

Əsas istilik yayma, M6 vintlər

4

6

Nm

MT1

Əsas terminallar, M8 vintlər ,

8

10

MT2

Köməkçi terminallar, M6 vintlər

2

3

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Min

نوع

Maks.

Birlik

Kollektor (- emitter) qırılma gərginliyi

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

Kollektor-emitter doymuş gərginlik

VCE sat

C = 1200 A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj=125°C

3.8

4.3

V

Kollektor kəsilmə cərəyanı

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

Ma

Tvj=125°C

120

Ma

گئچمیش قایناق آخینلیغی

IGES

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C

-500

500

NA

Qapı-Emitter Hədd Voltajı

VGE ((th)

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

7.5

V

قاپی باج

ق ق

IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V

12.1

µC

ورگين قابليت

سیز

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

187

nF

خروجی ظرفیت

کوس

11.57

nF

گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی

کریس

2.22

nF

تورن-توقتیش واختی

بـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ

VCC = 1800 V, IC = 1200A,

RG = 3.9Ω ,VGE =±15V

L σ = 280nH, induktiv yük

Tvj=25°C

750

ns

Tvj=125°C

750

ns

یوکسلیش واختی

t

Tvj=25°C

400

ns

Tvj=125°C

470

ns

د خاموش کولو ځنډ وخت

td ((آفلای)

Tvj=25°C

1600

ns

Tvj=125°C

1800

ns

پاييز زاماني

tf

Tvj=25°C

1100

ns

Tvj=125°C

1200

ns

Açma - keçid itkiləri

EON

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj=125°C

1800

mJ

Bağlama açma itkisi enerjisi

EOFF

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj=125°C

1700

mJ

Qısa devir cürün

آی.اس.سی

VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, induktiv yük

5000

A

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Min

نوع

Maks.

Birlik

اوزاغ ولتاژ

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

Tərs Bərpa Cərəyanı

ایری

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH, induktiv yük

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

آلدیغی باج

قصر

Tvj = 25 °C

700

µC

Tvj = 125 °C

1000

µC

Tərs Bərpa Zamanı

trr

Tvj = 25 °C

850

ns

Tvj = 125 °C

2200

ns

انرژی یئنی دن آلینماسی

اريك

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ