IGBT Modulu 1700V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Qiymət

Birlik

VCES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

VGE = 0V، TC= 25 °C

1700

V

VGES

گئچمه-پریشان ولتاژ

TC= 25 °C

± 20

V

IC

کولکتور-پریشان برق

TC = 65 °C

1400

A

IC ((PK)

Kollektorun pik cərəyanı

پيك كولكتور آخينليغي

tP=1ms

2800

A

Pmax

مکس. ترانزیستورون گوج تلفیسی

Tvj = 150°C، TC = 25 °C

6.25

kw

1 2 t

دیود I2t

VR =0V، tP = 10ms، Tvj = 150 °C

145

kA2s

ویزول

ایزولاسیون ولتاژ - هر ماژول

Ümumi terminallar baz plakasına qarşı, AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

ICES

کولکتورون کسمه سی

VGE = 0V,VCE = VCES

1

Ma

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

Ma

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

Ma

IGES

گئچمیش قایناق آخینلیغی

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

گئری قاپی سیخ لیق ولتاژ

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat) ((*1)

کلکتور-ایمیتر سیرلشیب Gərginlik

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V

İF

دیود اوزروه لی جریان

DC

1400

A

IFRM

Diodun pik irəliləyici cərəyanı

tP = 1ms

2800

A

VF ((*1)

دیود اوزروجه لی ولتاژ

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V

آی.اس.سی

Qısa devir cürün

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt، IEC 6074-9

5400

A

سیز

Giriş kapasitansı

ورگين قابليت

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

nF

ق ق

قاپی باج

±15V

11.7

μC

کریس

گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

nF

LM

Modul induktansı

10

nH

RINT

ترانزیستورون ایچ قارشیلیغی

0.2

mΩ

td ((آفلای)

د خاموش کولو ځنډ وخت

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

ns

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tf

Enmə vaxtı پاييز زاماني

Tvj= 25 °C

460

ns

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

ایستیقامت انرژیسیزلیگی

Tvj= 25 °C

460

mJ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

بـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ ـ

تورن-توقتیش واختی

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

ns

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

t

یوکسلیش واختی

Tvj= 25 °C

112

ns

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

ایشلتمه انرژیسیزلیگی

Tvj= 25 °C

480

mJ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

قصر

دیود رئورس

یئنی دن آلماق هزینه سی

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

ایری

دیود رئورس

یئنی دن یئرلشمه جریانی

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

اريك

دیود رئورس

انرژی یئنی دن قاییتماسی

Tvj= 25 °C

190

mJ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290