800A,600V ~ 1800V,414S3
محصول لارین بروشورلاری:Yüklə
قيساجا مقدمه
Tiristor/Diod Modulue, MTx800 MFx800 MT800,800a,سو سويوقلاشديريجي，TECHSEM tərəfindən istehsal olunur.
قيساجا مقدمه
Tiristor/Diod Modulue, MTx800 MFx800 mt800，800a,سو سويوقلاشديريجي，TECHSEM tərəfindən istehsal olunur.
VDRM VRRM, | Növ & Kontur | |
800V | MT3 | MFx800-08-414S3 |
1000 ولت | MT3 | MFx800-10-414S3 |
1200 ولت | MT3 | MFx800-12-414S3 |
1400V | MT3 | MFx800-14-414S3 |
1600V | MTx800-16-414S3 | MFx800-16-414S3 |
1800V | MTx800-18-414S3 | MFx800-18-414S3 |
1800V | MT3Müxtəlif |
|
MTx hər hansı bir növüMTC, MTA, MTK
MFx hər hansı bir növüMFC, Xarici İşlər Nazirliyi, MFK
خصوصیتلر
تطبيقات نموذجي
سیمبول |
خصوصیت |
یازیقلار | Tj(℃) | ارزشی |
واحد | ||
دقیقه | نوع | ماکس | |||||
IT(AV) | Orta açıq vəziyyət cərəyanı | 180。yarı sinüs dalğası 50Hz Tc=55°C, tək tərəfdən soyudulmuş |
125 |
|
| 800 | a |
IT(RMS) | RMS aktiv vəziyyət cərəyanı | 180°yarım sinus dalğası 50Hz |
|
| 1256 | a | |
Idrm Irrm | Təkrarlanan pik cərəyan | VDRM-də VRRM-də | 125 |
|
| 120 | Ma |
ITSM | Dalğalanma açıq vəziyyət cərəyanı | 10ms yarım sinüs dalğası, VR = 0V |
125 |
|
| 16 | ka |
1 2 t | Birləşmə koordinasiyası üçün I2t |
|
| 1280 | a2s* 103 | ||
VTO | آستانا ولتاژ |
|
135 |
|
| 0.80 | v |
rT | Açıq vəziyyət meyl müqaviməti |
|
| 0.26 | mΩ | ||
VTM | Zirvə açıq vəziyyət gərginliyi | ITM= 1500A | 25 |
|
| 1.45 | v |
dv/dt | Off-dövlət gərginliyinin kritik artım sürəti | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | یاشاییش حالتینده جریانین تنقیدی آرتیش سرعتی | Qapı mənbəyi 1.5A tr ≤0.5μs Təkrarlanan | 125 |
|
| 200 | A/μs |
tgd | Qapı idarə olunan gecikmə vaxtı | IG= 1A dig/dt=1A/μs | 25 |
|
| 4 | μs |
Tq | Dövr komutasiya olunmuş bağlanma vaxtı | ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs | 125 |
| 250 |
| µs |
IGT | Qapı tetik cərəyanı |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 250 | Ma |
Vgt | Qapı tetikleme gərginliyi | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Saxlama cərəyanı | 10 |
| 300 | Ma | ||
IL | Qapanma cərəyanı | IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us | 25 |
|
| 1500 | Ma |
VGD | Tetiklənməyən qapı gərginliyi | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.25 | v |
İQB | Qapı axını olmayan cərəyan | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 5 | Ma |
Rth(j-c) | Termal müqavimət Kəsişmədən qutuya | Hər çip üçün tək tərəfli soyudulmuş |
|
|
| 0.065 | ℃/W |
Rth(c-h) | İstilik müqaviməti qutudan istilik yayma cihazına | Hər çip üçün tək tərəfli soyudulmuş |
|
|
| 0.020 | ℃/W |
VISO | İzolyasiya gərginliyi | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
fm | Terminal bağlantı momenti(M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m |
Montaj torku (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | |
Tvj | Birlik temperaturu |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Saxlanma temperaturu |
|
| -40 |
| 125 | °C |
Wt | وزن |
|
|
| 2100 |
| g |
Kontur | 414S3 | ||||||
حرفه ای ساتیش تیمئمئز مصلحتلشمه لریزی گؤزله ییر.
محصول لاری نین لیستینی ایزله یه بیلرسینیز و سئودینیز هر سوالی سوروشا بیلرسینیز.
EN
