MTx1200 MFx1200,Tiristor/Diod Modulları,Hava Soyutma

Hava soyutma

MTx1200 MFx1200, Tiristor/Diod Modulları, Atmosferdə Soyutulması

1200A,600V ~ 1800V,412F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT1200 MT2200

Appurtenance:

Məhsul Broşürü:YÜKLƏ

Giriş
Kontur
Ekvivalent Dairə Şeması

Giriş

Qısa giriş

Tiristor/دیود ماژول,MTx1200,MFx1200，1200A,Hava soyutma,TECHSEM tərəfindən istehsal olunur.

VRRM,VDRM	Növ & Kontur
600V	MT2dövlət	MFx1200-06-412F3
800V	MT2dövlət	MFx1200-08-412F3
1000V	MT2dövlət	MFx1200-10-412F3
1200V	MT2dövlət	MFx1200-12-412F3
1400V	MT2dövlət	MFx1200-14-412F3
1600V	MT2dövlət	MFx1200-16-412F3
1800V	MT2dövlət	MFx1200-18-412F3
1800V	MT1200-18-412F3G

MTx hər hansı birnövü MTC, MTA, MTK

MFx hər hansı bir tip üçüne MFC, Xarici İşlər Nazirliyi, MFK

Xüsusiyyətləri

İzolyasiyalı montaj bazası 3000V~
Təzyiq kontakt texnologiyası ilə
Artırılmış güc dövrü qabiliyyəti
Məkan və çəki qənaəti

تطبيقات نموذجي

AC/DC Motor sürücüləri
Müxtəlif düzləndiricilər
PWM invert üçün DC təchizatı

سیمبول	XƏBƏRDARLIQ	یازیقلار	Tj(°C)	Qiymət			Birlik
سیمبول	XƏBƏRDARLIQ	یازیقلار	Tj(°C)	Min	Növ	Maks.	Birlik
IT(AV)	Orta açıq vəziyyət cərəyanı	180°yarım sinus dalğası 50Hz Tək tərəf soyudulmuş, TC=60°C	125			1200	A
IT(RMS)	RMS aktiv vəziyyət cərəyanı	180°yarım sinus dalğası 50Hz Tək tərəf soyudulmuş, TC=60°C	125			1884	A
Idrm Irrm	Təkrarlanan pik cərəyan	VDRM-də VRRM-də	125			55	Ma
ITSM	Dalğalanma açıq vəziyyət cərəyanı	VR=60%VRRM,,t=10ms yarım sinus,	125			26	kA
1 2 t	Birləşmə koordinasiyası üçün I2t	VR=60%VRRM,,t=10ms yarım sinus,	125			3380	10³A²s
VTO	آستانا ولتاژ		125			0.70	V
rT	Açıq vəziyyət meyl müqaviməti		125			0.14	mΩ
VTM	Zirvə açıq vəziyyət gərginliyi	ITM=3000A	25			1.96	V
dv/dt	Off-dövlət gərginliyinin kritik artım sürəti	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	یاشاییش حالتینده جریانین تنقیدی آرتیش سرعتی	Qapı mənbəyi 1.5A tr ≤0.5μs Təkrarlanan	125			200	A/μs
IGT	Qapı tetik cərəyanı	VA=12V, IA=1A	25	30		200	Ma
Vgt	Qapı tetikleme gərginliyi			0.8		3.0	V
IH	Saxlama cərəyanı			10		200	Ma
IL	Qapanma cərəyanı					1500	Ma
VGD	Tetiklənməyən qapı gərginliyi	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Termal müqavimət Kəsişmədən qutuya	180-də°sinus. Çip başına soyudulmuş tək tərəf				0.048	°C/W
Rth(c-h)	İstilik müqaviməti qutudan istilik yayma cihazına	180-də°sinus. Çip başına soyudulmuş tək tərəf				0.020	°C/W
VISO	İzolyasiya gərginliyi	50Hz,R.M.S,t=1dəq,Iiso:1mA(max)		3000			V
Fm	Terminal bağlantısı torkü ((M12)			12.0		16.0	N·m
Fm	Montaj döngə əlaməti ((M8)			10.0		12.0	N·m
Tvj	Birlik temperaturu			-40		125	°C
TSTG	Saxlanma temperaturu			-40		125	°C
Wt	Çəki				3660		g
Kontur	412F3