YMIF750-65,IGBT Modulu,Tək Açma IGBT,CRRC

V _CES

6500 V

V _{CE ((sat)} تایپ.

3.0 V

I _C Maks.

750 A

I _C(RM) Maks.

1500 A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Qiymət

Vahid

V _CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

VGE = 0V، TC= 25 °C

6500

V

V _GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

TC= 25 °C

± 20

V

I _C

کولکتور-پریشان برق

TC = 80 °C

750

A

I _{C ((PK)}

پيك كولكتور آخينليغي

tP=1ms

1500

A

P _maks.

مکس. ترانزیستورون گوج تلفیسی

Tvj = 150°C، TC = 25 °C

11.7

kw

I ²t

دیود I2t

VR =0V، tP = 10ms، Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _izol

ایزولاسیون ولتاژ - هر ماژول

(Baza plitəsinə birləşdirilmiş terminallar), AC RMS, 1 dəq, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

جزئي تخليه - هر ماژول

IEC1287 V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

İstilik müqaviməti - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diod

İstilik müqaviməti - Diod

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

İstilik müqaviməti -

korpusdan istilik yayma cihazına (IGBT)

Quraşdırma momenti 5Nm,

quraşdırma yağı ilə 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Diod

İstilik müqaviməti -

korpusdan istilik yayma cihazına (Diod)

Quraşdırma momenti 5Nm,

quraşdırma yağı ilə 1W/m·°C

18

K / kW

تلویزیون

یئرین ایشله مه درجه سی

(IGBT)

-40

125

°C

(Diod)

-40

125

°C

TSTG

saxlama temperaturu

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40

125

°C

M

Vida momenti

Montaj – M6

5

Nm

Elektrik bağlantıları – M4

2

Nm

Elektrik bağlantıları – M8

10

Nm

符号 سیمبول

参数名称 Parametr

条件

یازیقلار

最小值 Min.

典型值 تایپ.

最大值 Maks.

单位 Vahid

ICES

集电极截止电流

کولکتورون کسمه سی

VGE = 0V,VCE = VCES

1

ma

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

ma

IGES

栅极漏电流

گئچمیش قایناق آخینلیغی

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

qapı -emissorun hədd voltajı گئری قاپی سیخ لیق ولتاژ

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat) ((*1)

集电极 -emissorun doymuş voltajı

کلکتور-ایمیتر سیرلشیب

gərginlik

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

İF

diodun müsbət düz axım cərəyanı دیود اوزروه لی جریان

DC

750

A

IFRM

diodun müsbət təkrarlanan pik cərəyanı Diodun pik irəliləyici cərəyanı

tP = 1ms

1500

A

VF ((*1)

i̇kiqat diodun müsbət gərginliyi

دیود اوزروجه لی ولتاژ

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

آی.اس.سی

qısa dövr cərəyanı

Qısa devir cürün

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt، IEC 6074-9

2800

A

سیز

giriş kapasitansı

ورگين قابليت

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

ق ق

栅极电荷

قاپی باج

±15V

9.4

μC

کریس

tərs ötürmə kapasitansı

گئری گئری یۆکسله مه قابلیتلییی

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

modul induktansı

Modul induktansı

10

nH

RINT

daxili müqavimət

ترانزیستورون ایچ قارشیلیغی

90

mΩ

td _(بند)

bağlanma gecikməsi

د خاموش کولو ځنډ وخت

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

ns

Tvj= 125 °C

3090

t _f

enmə vaxtı پاييز زاماني

Tvj= 25 °C

2390

ns

mJ

ns

ns

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _آفلای

bağlanma itkiləri

ایستیقامت انرژیسیزلیگی

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

td _(دسته)

açılış gecikmə müddəti

تورن-توقتیش واختی

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

t

上升时间 یوکسلیش واختی

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _Açıq

açılma itkiləri

ایشلتمه انرژیسیزلیگی

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

قصر

i̇kiqat diodun tərs bərpa yükü دیود رئورس

یئنی دن آلماق هزینه سی

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

ایری

i̇kiqat diodun tərs bərpa cərəyanı دیود رئورس

یئنی دن یئرلشمه جریانی

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

اريك

i̇kiqat diodun tərs bərpa itkiləri دیود رئورس

انرژی یئنی دن قاییتماسی

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080