IGBT Modulu 6500V

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Min

Maks.

Birlik

جمع ائدن-صادر ائدن Gərginlik

VCES

Vژئروژنیک=0V,Tvj ≥ 25°C

6500

V

DC kollektor cərəyanı

IC

TC =80°C

250

A

پيك كولكتور آخينليغي

ISM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

گئچمه-پریشان ولتاژ

VGES

-20

20

V

Ümumi güc dissipation

ptot

TC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC irəliləyici cərəyan

IF

250

A

Zirvə irəliləyici Cürrent

IFRM

tP=1ms

500

A

IGBT qısa DÖNGƏ SOA

Tpsc

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V Vژئروژنیک≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μs

İzolyasiya gərginliyi

Vizol

1min,f=50Hz

10200

V

Birlik temperaturu

Tvj

125

°C

Birlik işləmə temperaturu

Tvj(op)

-50

125

°C

Kasa temperaturu

TC

-50

125

°C

yaddaş temperaturu

TSTG

-50

125

°C

Quraşdırma torkları

ms

4

6

Nm

mT1

8

10

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Min

Növ

Maks.

Birlik

کلکسیونر (- emitter) qırılma gərginliyi

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

جمع ائدن-صادر ائدن doyma Gərginlik

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

کلکسیونر kəsilmə cərəyanı

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

Ma

Tvj=125°C

50

Ma

Qapı لیکج جریان

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

NA

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

V GE(TH)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

تورن-توقتیش واختی

Tد ((د))

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

İnsani yük

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

Yüksəlmək vaxt

t

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

د خاموش کولو ځنډ وخت

Td ((آف))

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

پاييز زاماني

TF

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Açma keçid itki enerjisi

EON

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

ایستیقلال itki enerjisi

Eآفلای

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

قیساجا dövrə cərəyanı

ISC

tpsc ≤ 10μ s, V ژئروژنیک

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A