IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

GD400SGK120C2S

Birliklər

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

سیمبول

Təsvir

GD400SGK120C2S

Birliklər

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

± 20V

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

550

A

400

I CM ((1)

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

800

A

I F

Diod Davamlı İrəliləyən Cərəyan n

400

A

I Fm

Diod Maksimal İrəliləyən Cərəyan n

800

A

p D

Maksimal güc İtirmə @ T J =150 °C

2500

W

T SC

قصر محور دوروستاندر تایم @ T J =1 25°C

10

μs

T J

یئرین ایشله مه درجه سی

-40-دن +150

°C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40-دن +125

°C

I 2t-value، دیود

V R =0V، t=10ms، T J =125 °C

27500

A 2s

V ISO

ایزولاسیون ولتاژ RMS، f=50Hz، t=1min

2500

V

Quraşdırma

Dövşər küçü

برق ترمینالی پیچ:M4

برق ترمینالی پیچ:M6

1.1 to 2.0

2.5 تا 5.0

N.M

Quraşdırma پیچ:M6

3.0-dan 6.0

N.M

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

BV CES

جمع ائدن-صادر ائدن

Bozulma Cihaz Gerilməsi

T J =25 °C

1200

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE =V CES ,V ژئروژنیک =0V، T J =25 °C

5.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک

Cürrent

V ژئروژنیک =V GES ,V CE =0V، T J =25 °C

400

NA

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V GE(TH)

گئچمه-یوللانان

آستانا ولتاژ

I C =5.0mA,V CE =V ژئروژنیک ,

T J =25 °C

4.5

5.1

5.5

V

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =400A،V ژئروژنیک =15V,T J =25 °C

2.2

V

I C =400A،V ژئروژنیک =15V،

T J =125 °C

2.5

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

T د ((د))

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =400A،

258

ns

T R

یوکسلیش واختی

R g =3.3Ω, V ژئروژنیک = ± 15 ولت

110

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

T J = 25 °C

285

ns

T F

پاييز زاماني

V CC =600V،I C =400A،

R g =3.3Ω, V ژئروژنیک = ± 15 ولت T J = 25 °C

70

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

45

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

26

mJ

T د ((د))

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =400A،

R g =3.3Ω, V ژئروژنیک = ± 15 ولت T J = 125°C

260

ns

T R

یوکسلیش واختی

120

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

300

ns

T F

پاييز زاماني

80

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

60

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

40

mJ

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V, f=1.0MHz,

V ژئروژنیک =0V

74.7

nF

C اوْ

خروجی ظرفیت

3.3

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.64

nF

I SC

SC Data (داتا)

T s C ≤ 10μs، V ژئروژنیک =15V،

T J =125 °C , V CC =900V،

V CEM ≤ 1200V

2400

A

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

16

nH

R CC + EE ’

ماژول سرب

مقاومت، terminal üçün Çip

T C =25 °C

0.50

m Ω

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =400A

T J =25 °C

2.0

2.3

V

T J =125 °C

2.2

2.5

Q R

دیود رئورس

یئنی دن آلماق هزینه سی

I F =400A،

V R =600V،

di/dt=-4100A/μs, V ژئروژنیک =-15V

T J =25 °C

31

μC

T J =125 °C

66

I RM

دیود اوج

عكس بازيافت Cürrent

T J =25 °C

300

A

T J =125 °C

410

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

T J =25 °C

12

mJ

T J =125 °C

28

سیمبول

Parametr

تایپ.

Maks.

Birliklər

R θJC

گئنيشليک-قورغوسونا (IGBT-بيلگيسي، بير 1/2 Modül)

0.05

K/W

R θJC

Junction-to-Case (DIODE Hissəsi, hər 1/2 Modül)

0.08

K/W

R θCS

قاب-تا-سینک (Conductive grease a (بيلنمه لي)

0.035

K/W

Çəki

وزن Modul

340

g