IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

GD1200SGL120C3S

Birliklər

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

± 20

V

I C

Kollektor Cərəyanı

@ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

A

1200

I SM (1)

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p = 1ms

2400

A

I F

دیود دایم ایلک جریان

1200

A

I Fm

دیودین ان چوخ قاباقکی قیر اجاره

2400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق J = 175°C

8823

W

T SC

قصر محور دوروستاندر تایم @ T J =125 °C

10

μs

T J

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

°C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

°C

I 2t-value، دیود

V R =0V، t=10ms، T J =125 °C

300

kA 2s

V ISO

ایزولاسیون ولتاژ RMS، f=50Hz، t=1min

2500

V

Quraşdırma

Dövşər küçü

Güclü Terminal Vida:M4

د پاور ترمینال پیچ:M8

1.7-dən 2.3

8.0 تا 10

N.M

Quraşdırma پیچ:M6

4.25- 5.75

N.M

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

BV CES

جمع ائدن-صادر ائدن

Bozulma Cihaz Gerilməsi

T J =25 °C

1200

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T J =25 °C

5.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک

Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 °C

800

NA

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی

Gərginlik

I C =48.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 °C

5.0

6.5

7.0

V

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C = 1200A،V ژئروژنیک =15V، T J =25 °C

1.9

V

I C = 1200A،V ژئروژنیک =15V، T J = 125°C

2.1

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

R گئنت

Daxili Qapı Rezistoru

T J =25 °C

1.2

Ω

Q ژئروژنیک

قاپی باج

I C = 1200A،V CE =600V، V ژئروژنیک =- 15…+15V

12.5

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =1200A،

R g =0.82Ω,V ژئروژنیک = ± 15 ولت T J =25 °C

790

ns

T R

یوکسلیش واختی

170

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

1350

ns

T F

پاييز زاماني

180

ns

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =1200A،

R g =0.82Ω,V ژئروژنیک = ± 15 V,

T J = 125°C

850

ns

T R

یوکسلیش واختی

170

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

1500

ns

T F

پاييز زاماني

220

ns

E açıq

چاليش ایستیقلال ائتمه سی

155

mJ

E آفلای

Söndürmə Keçid İtki

190

mJ

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V، f=1MHz،

V ژئروژنیک =0V

92.0

nF

C اوْ

خروجی ظرفیت

8.40

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

6.10

nF

I SC

SC Data (داتا)

T s C ≤ 10μs، V ژئروژنیک =15V، T J =125 °C ,

V CC =900V، V CEM ≤ 1200V

7000

A

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

15

nH

R CC + EE ’

Modul baş müqaviməti e, ترمینال چیپ

T C =25 °C ,hər açar üçün

0.10

m Ω

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F = 1200A

T J =25 °C

1.9

V

T J = 125°C

2.1

Q R

دیود رئورس

یئنی دن آلماق هزینه سی

I F = 1200A،

V R =600V،

di/dt=-6800A/μs, V ژئروژنیک =- 15 ولت

T J =25 °C

110

μC

T J = 125°C

220

I RM

دیود اوج

عكس بازيافت Cürrent

T J =25 °C

760

A

T J = 125°C

990

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

T J =25 °C

47

mJ

T J = 125°C

82

سیمبول

Parametr

تایپ.

Maks.

Birliklər

R θ JC

گئنیشلیک (IGBT Part, pe) r ماژول)

0.017

K/W

R θ JC

Junction-to-Case (Diod Hissəsi, hər Modul üçün le)

0.025

K/W

R θ CS

قاشق و سوخاری

(دَرَکَه یئتیرن یئتیرمه، هر ماژول)

0.006

K/W

Çəki

Çəki of Modul

1500

g