IGBT Modulu 4500V

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Qiymət

Birlik

کلکسیونر ‐Emitter Gərginlik

V CES

V ژئروژنیک =0V، T vj =25 ° C

4500

V

DC کلکسیونر Cürrent

I C

T C =100 ° ج، T vj =125 ° C

3000

A

Zirvə کلکسیونر Cürrent

I SM

T p =1 ms

6000

A

Qapı ‐Emitter Gərginlik

V GES

± 20

V

Ümumi Güc dissipation

p tot

T C =25 ° ج، T vj =125 ° C

31200

W

DC İrəliləyən Cürrent

I F

3000

A

Zirvə İrəliləyən Cürrent

I FRM

T p =1 ms

6000

A

Dalğa Cürrent

I FSM

V R =0V، T vj =125 ° ج،

T p =10 ms ,yarım ‐sinewave

21000

A

IGBT قیساجا DÖNGƏ SOA

T psc

V CC =3400V, V CEM Çip ≤4500V V ژئروژنیک ≤15V, T vj ≤125 ° C

10

μs

maksimum گئچمه Temperatur

T vj (Maks. )

125

°C

گئچمه İşləmə Temperatur

T vj (op )

‐40~125

°C

Məsələ Temperatur

T C

‐40~125

°C

yaddaş Temperatur

T STG

‐40~70

°C

Quraşdırma qüvvə

F m

90~130

KN

Parametr

سیمبول

Şərtlər

Qiymət

Birlik

Min .

تایپ.

Maks. .

اوزاغ ولتاژ

V F

I F =3000A

T vj =25 °C

2.60

V

T vj =125 °C

2.85

V

گئری یئنی دن یئرلشمه جریانی

I rr

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

İnduktiv yük

T vj =25 °C

1690

A

T vj =125 °C

2750

A

گئری یئنی دن آلماق هزینه سی

Q rr

T vj =25 °C

3000

uC

T vj =125 °C

3950

uC

گئری یئنی دن یاشاماق

T rr

T vj =25 °C

1.80

ABŞ

T vj =125 °C

2.20

ABŞ

گئری bərpa etmək Enerji Itirki

E رئچ

T vj =25 °C

4000

mJ

T vj =125 °C

6300

mJ