IGBT Discrete

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

VCES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

VGES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

IC

Kolektor Cari @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

A

ISM

İmzası Qalınlaşdırma Cari tpT ilə məhdudlaşdırılırjmax

100

A

pD

اعظمي گوٴرچولوقJ=175OC

573

W

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

Tجوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +175

OC

TSTG

yaddaş temperaturuMəsafə

-55 تا +150

OC

Ts

Soldering Temperature,1.6mm from case for 10 saniyələr

260

OC

m

تورک مونتاژ Screw M3

0.6

N.M

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

VCE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

IC=25A,Vژئروژنیک=15V،

TJ=25OC

1.70

2.15

V

IC=25A,Vژئروژنیک=15V،

TJ=125OC

1.95

IC=25A,Vژئروژنیک=15V،

TJ=150OC

2.00

Vژئروژنیک(th)

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

IC=0.63Ma,VCE=Vژئروژنیک, TJ=25OC

5.2

6.0

6.8

V

ICES

کلکسیونر کس-آفلای

Cürrent

VCE=VCES,Vژئروژنیک=0V،

TJ=25OC

1.0

Ma

IGES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

Vژئروژنیک=VGES,VCE=0V،TJ=25OC

400

NA

Rگئنت

داخلي قاپي مقاومتيآلانس

0

Ω

Cies

ورگين قابليت

VCE=25V,f=1Mhz,

Vژئروژنیک=0V

2.59

nF

Cres

گئری یوللانما

ظرفیت

0.07

nF

Qg

قاپی باج

Vژئروژنیک=-15...+15V

0.19

μC

TD(açıq)

تورن-توقتیش واختی

VCC=600V،IC=25A,   Rg=20Ω,Vژئروژنیک=±15V، TJ=25OC

28

ns

TR

یوکسلیش واختی

17

ns

TD(آفلای)

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

196

ns

TF

پاييز زاماني

185

ns

Eaçıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

1.71

mJ

Eآفلای

ایستیقلال

Itirki

1.49

mJ

TD(açıq)

تورن-توقتیش واختی

VCC=600V،IC=25A,   Rg=20Ω,Vژئروژنیک=±15V، TJ=125OC

28

ns

TR

یوکسلیش واختی

21

ns

TD(آفلای)

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

288

ns

TF

پاييز زاماني

216

ns

Eaçıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.57

mJ

Eآفلای

ایستیقلال

Itirki

2.21

mJ

TD(açıq)

تورن-توقتیش واختی

VCC=600V،IC=25A,   Rg=20Ω,Vژئروژنیک=±15V، TJ=150OC

28

ns

TR

یوکسلیش واختی

22

ns

TD(آفلای)

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

309

ns

TF

پاييز زاماني

227

ns

Eaçıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.78

mJ

Eآفلای

ایستیقلال

Itirki

2.42

mJ

ISC

SC Data (داتا)

Tp≤10μs،Vژئروژنیک=15V،

TJ=150OC,VCC=900V، VCEM≤1200V

100

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

VF

دیود جلو

Gərginlik

IF=25A,Vژئروژنیک=0V,TJ=25OC

2.20

2.65

V

IF=25A,Vژئروژنیک=0V,TJ= 125OC

2.30

IF=25A,Vژئروژنیک=0V,TJ= 150OC

2.25

QR

آلدیغی باج

VR=600V،IF=25A,

-di/dt=880A/μs,Vژئروژنیک=-15V TJ=25OC

1.43

μC

IRM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

34

A

Eرئچ

عكس بازيافتEnerji

0.75

mJ

QR

آلدیغی باج

VR=600V،IF=25A,

-di/dt=880A/μs,Vژئروژنیک=-15V TJ= 125OC

2.4

μC

IRM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

42

A

Eرئچ

عكس بازيافتEnerji

1.61

mJ

QR

آلدیغی باج

VR=600V،IF=25A,

-di/dt=880A/μs,Vژئروژنیک=-15V TJ= 150OC

2.6

μC

IRM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

44

A

Eرئچ

عكس بازيافتEnerji

2.10

mJ

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

RthJC

گئنیشلیک (IGB)T)

گئنیشلیک (دَییشدیر)اوْد)

0.262

0.495

K/W

RthJA

"جونکشن-تو-آمبیوننت"

40

K/W