Bütün kateqoriyalar

IGBT Modulu 1200V

IGBT Modulu 1200V

Ana səhifə /  Məhsullar /  IGBT ماژول /  IGBT Modulu 1200V

GD800HFA120C6SD,IGBT Modulu,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • Giriş
  • Kontur
Giriş

Qısa giriş

IGBT ماژول , STARPOWER tərəfindən istehsal edilmişdir. 1200V 800A.

Xüsusiyyətləri

  • Aşağı VCE(sat) Toxum IGB T texnologiyası
  • قصرتیراولوش قابیلیتی
  • VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
  • maksimum Birlik temperaturu 175o C
  • آز ایندوکتانسلی قاب
  • سرعتلی و نرم گئری قاییتما ضد موازي FWD
  • İzolyasiyalı mis baza e DBC texnologiyasından istifadə edərək

Tipik Tətbiqlər

  • Hibrid və elektrikli nəqliyyat vasitəsi
  • موتور حرکت اوچون اینورتر
  • Mənfiyyatsız Təminatlı Enerji Taminatı

مطلق maksimum درجه بندي T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

IGBT

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =100 O C

800

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

1600

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق vj =175 O C

4687

W

دیود

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک Cu اجاره

900

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

1800

A

I FSM

İrəliləyən Cərəyan t p =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj =175 O C

2392

2448

A

I 2T

I 2t- Qiymət ,T p =10 ms @ T vj =125 O C @ T vj =175 O C

28608

29964

A 2s

Modul

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

T vjmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T vjop

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Voltajı RMS, f=50Hz,t =1 دقیقه

2500

V

IGBT Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ

I C =800A,V ژئروژنیک =15V، T vj =25 O C

1.40

1.85

V

I C =800A,V ژئروژنیک =15V، T vj =125 O C

1.60

I C =800A,V ژئروژنیک =15V، T vj =175 O C

1.60

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =24.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T vj =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T vj =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

0.5

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=100kHz, V ژئروژنیک =0V

28.4

nF

C res

گئری یوللانما ظرفیت

0.15

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =-15...+15V

2.05

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =800A, R g =0.5Ω, L s =40nH, V ژئروژنیک =-8V/+15V,

T vj =25 O C

168

ns

T R

یوکسلیش واختی

78

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

428

ns

T F

پاييز زاماني

123

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

43.4

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

77.0

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =800A,

R g =0.5Ω, L s =40nH,

V ژئروژنیک =-8V/+15V,

T vj =125 O C

172

ns

T R

یوکسلیش واختی

84

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

502

ns

T F

پاييز زاماني

206

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

86.3

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

99.1

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =800A,

R g =0.5Ω, L s =40nH,

V ژئروژنیک =-8V/+15V,

T vj =175 O C

174

ns

T R

یوکسلیش واختی

90

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

531

ns

T F

پاييز زاماني

257

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

99.8

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

105

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤8μs, V ژئروژنیک =15V،

T vj =150 O ج،

V CC =800V, V CEM 1200V

2600

A

T p ≤6μs, V ژئروژنیک =15V،

T vj =175 O ج،

V CC =800V, V CEM 1200V

2500

A

دیود Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو Gərginlik

I F =900A,V ژئروژنیک =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.00

V

I F =900A,V ژئروژنیک =0V,T vj =125 O C

1.60

I F =900A,V ژئروژنیک =0V,T vj =175 O C

1.50

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V ژئروژنیک =-8V, L s =40 nH ,T vj =25 O C

47.7

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

400

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

13.6

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V ژئروژنیک =-8V, L s =40 nH ,T vj =125 O C

82.7

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

401

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

26.5

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V ژئروژنیک =-8V, L s =40 nH ,T vj =175 O C

110

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

413

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

34.8

mJ

NTC Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

R 25

نومره لی مقاومت

5.0

∆R/R

انحراف of R 100

T C =100 O C " آر 100=493.3Ω

-5

5

%

p 25

Güc

dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

20

nH

R CC+EE

Modul Başlanğıc Müqaviməti, Terminaldan Çipə

0.80

R thJC

گئچمه -üçün -Məsələ (perIGBT ) گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد)

0.032

0.049

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT) Kasa-İstilik Sinkinə (hər Diod üçün) قاب-تا-تزنج (هر ماژول)

0.030

0.046

0.009

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M6 تورک مونتاژ مچرو M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Çəki of Modul

350

g

Kontur

image(c537ef1333).png

Pulsuz Qiymət Alın

Təmsilçimiz tezliklə sizinlə əlaqə saxlayacaq.
Email
Adı
Şirkət Adı
Məlumat
0/1000

Əlaqəli məhsul

هئچ بیر محصول حاقّیندا سوروشوموز وار؟

Peşəkar satış qrupumuz sizin məsləhətləşmənizi gözləyir.
محصول لاری نین لیستینی ایزله یه بیلرسینیز و سئودینیز هر سوالی سوروشا بیلرسینیز.

Bir sitat alın

Pulsuz Qiymət Alın

Təmsilçimiz tezliklə sizinlə əlaqə saxlayacaq.
Email
Adı
Şirkət Adı
Məlumat
0/1000