GD400HTX120P4SD, IGBT Modulu, STARPOWER

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش

1200

V

I FN

İstifadə olunan Forward Cu اجاره

400

A

I F

دیود دواملی ایلک Cu اجاره

300

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

800

A

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Voltajı RMS, f=50Hz,t =1 دقیقه

2500

V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ

I C =300A،V ژئروژنیک =15V، T J =25 O C

1.50

1.95

V

I C =300A،V ژئروژنیک =15V، T J =125 O C

1.60

I C =300A،V ژئروژنیک =15V، T J =150 O C

1.65

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =16.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 O C

5.3

5.8

6.3

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T J =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلی قاپی مقاومتی

0.5

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz, V ژئروژنیک =0V

41.4

nF

C res

گئری یوللانما ظرفیت

1.16

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =15V

3.11

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =500V,I C =300A، R g =1.5Ω,V ژئروژنیک =±15V، LS =25 nH ,T J =25 O C

223

ns

T R

یوکسلیش واختی

32

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

354

ns

T F

پاييز زاماني

228

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

6.24

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

20.1

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =500V,I C =300A، R g =1.5Ω,V ژئروژنیک =±15V، Ls=25nH,T J =125 O C

229

ns

T R

یوکسلیش واختی

36

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

411

ns

T F

پاييز زاماني

344

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

11.0

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

28.6

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =500V,I C =300A، R g =1.5Ω,V ژئروژنیک =±15V، Ls=25nH,T J =150 O C

231

ns

T R

یوکسلیش واختی

38

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

421

ns

T F

پاييز زاماني

352

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

12.2

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

29.7

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs V ژئروژنیک =15V،

T J =150 O C,V CC =900V، V CEM ≤1200V

1600

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V F

دیود جلو Gərginlik

I F =300A،V ژئروژنیک =0V,T J =25 O C

1.35

1.80

V

I F =300A،V ژئروژنیک =0V,T J =1 25O C

1.35

I F =300A،V ژئروژنیک =0V,T J =1 50O C

1.35

Q R

آلدیغی باج

V R =500V,I F =300A،

-di/dt=9700A/μs,V ژئروژنیک =-15V Ls=25nH,T J =25 O C

32.7

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

478

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

22.1

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =500V,I F =300A،

-di/dt=8510A/μs,V ژئروژنیک =-15V Ls=25nH,T J =125 O C

45.9

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

522

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

32.7

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =500V,I F =300A،

-di/dt=8250A/μs,V ژئروژنیک =-15V Ls=25nH,T J =150 O C

51.5

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

537

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

37.4

mJ

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

R 25

نومره لی مقاومت

5.0

kΩ

∆R/R

انحراف of R 100

T C =100 O C " آر 100=493.3Ω

-5

5

%

p 25

Güc

dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

△ p

Təzyiq Düşməsi Soyutma C ir

△ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ;T F =25 O C ;Soyutma Mayesi=50% Su/50% Etilen Qlikol

100

mbar

p

سئلدنین ان چوخ فشار ir

2.5

BAR

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

14

nH

R CC+EE

ماژول رهبري مقاومت ترمینال چیپ

0.80

mΩ

R thJF

گئچمه -üçün -Soyutma Maye (perIGBT ) Kəsişmə-soyutma mayesi (per Di اوْد)

0.100 0.125

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M6 تورک مونتاژ مچرو M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

g

Çəki of Modul

1340

g