IGBT Modulu 1700V

سیمبول

Təsvir

GD300HFT170C2S

Birliklər

VCES

جمع ائدن-صادر ائدن Gərginlik

1700

V

VGFs

گئچمه-یوللانان Gərginlik

±20

V

IC

کلکسیونر Cürrent @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM ((1)

Pulsed کلکسیونر Cürrent tp= 1ms

600

A

Ir

دیود Davamlı İrəliləyən Cürrent

300

A

IM

دیود maksimum İrəliləyən Cürrent

600

A

PP

maksimum Güc dissipation @Tj=175℃

2083

W

TSC

قیساجا DÖNGƏ Dözümlülük vaxt @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

maksimum گئچمه Temperatur

175

°C

TSTG

yaddaş Temperatur Məsafə

-40 to+125

°C

I²t-dəyəri,Diod

VR=0V,t=10ms,Tj=125℃

14500

A²s

VISO

ایزولاسیون Gərginlik RMS,f=50Hz,t=1dəq

4000

V

Quraşdırma Dövşər küçü

Güc terminal ایندی ایندی :M6

2.5 üçün 5.0

N.M

Quraşdırma پیچ:M6

3.0 üçün 5.0

N.M

سیمبول

Parametr

Test Şərtlər

Min .

نوع .

Maks. .

Birliklər

BVcrs

جمع ائدن-صادر ائدن

breakdown Gərginlik

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

V

ICES

کلکسیونر Kəsilmə Cürrent

VCE=VCES،VGE=0V، Tj=25°C

3.0

Ma

IGrs

گئچمه-یوللانان Sızma Cürrent

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

NA

سیمبول

Parametr

Test Şərtlər

Min .

تایپ.

Maks. .

Birliklər

Vcπ(h)

گئچمه-یوللانان Eşik Gərginlik

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE ((sat)

کلکسیونر üçün Emitter doyma Gərginlik

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

V

IC =300A، VGr =15V. T=125℃

2.4

سیمبول

Parametr

Test Şərtlər

Min .

تایپ.

Maks. .

Birliklər

taon)

چاليش Gecikmə vaxt

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

ns

T

Yüksəlmək vaxt

82

ns

ta (o)

ایشیق چیخار Gecikmə vaxt

801

ns

t

Düşmə vaxt

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

ns

EON

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

70

mJ

Eofr

ایشیق چیخار Kənarlaşdırma

Itirki

65

mJ

ta(on)

چاليش Gecikmə vaxt

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

ns

T

Yüksəlmək vaxt

103

ns

ta(om)

ایشیق چیخار Gecikmə vaxt

1002

ns

t

Düşmə vaxt

203

ns

EON

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

105

mJ

Eor

ایشیق چیخار Kənarlaşdırma

Itirki

94

mJ

سیز

İnput ظرفیت

VCE=25V,f=1Mhz

VGr=0V

27.0

nF

کوس

Çıxış ظرفیت

1.1

nF

کریس

گئری Transfer

ظرفیت

0.9

nF

آی.اس.سی

SC Məlumat

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Daxili Qapı Müqavimət CE

2.5

Ω

LCr

Təsadüfi ایندوکتانس

20

nH

RcC'+EE'

Modul İdarə et مقاومت، terminal üçün Çip

TC=25°C

0.35

m2

سیمبول

Parametr

Test Şərtlər

Min .

تایپ.

Maks. .

Birliklər

VR

دیود İrəliləyən

Gərginlik

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

V

Ti=125℃

1.9

Q

دیود گئری

bərpa etmək Şarj

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125°C

131

IRM

دیود Zirvə

گئری bərpa etmək Cürrent

Tj=25°C

351

A

T=125℃

383

Eree

گئری bərpa etmək Enerji

Tj=25°C

40

mJ

Tj=125°C

72

سیمبول

Parametr

تایپ.

Maks. .

Birliklər

Rac

گئچمه -üçün -Məsələ (IGBT Hissə , هر 1/2 Modu le)

0.072

K/W

Rac

گئچمه -üçün -Məsələ (دیود Hissə , p er 1/2 ماژول)

0.13

K/W

Roc

قاشق و سوخاری (İnkişaf etdirici yağ tətbiq edilmişdir)

0.035

K/W

Çəki

Çəki of Modul

300

g