IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

339

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p = 1ms

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق J =175 O C

1456

W

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک قیر اجاره

75

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p = 1ms

150

A

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

650

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C

@ T C =95 O C

158

100

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p = 1ms

200

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق J =175 O C

441

W

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ

650

V

I F

دیود دواملی ایلک قیر اجاره

100

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p = 1ms

200

A

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

yaddaş temperaturu Məsafə

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C = 100A,V ژئروژنیک = 15 ولت T J =25 O C

1.40

1.85

V

I C = 100A,V ژئروژنیک = 15 ولت T J =125 O C

1.65

I C = 100A,V ژئروژنیک = 15 ولت T J =150 O C

1.70

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =5.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T J =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

3.8

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz,

V ژئروژنیک =0V

20.7

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.58

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =- 15…+15V

1.56

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =400V,I C = 100A, R g = 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 O C

142

ns

T R

یوکسلیش واختی

25

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

352

ns

T F

پاييز زاماني

33

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

1.21

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

3.90

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =400V,I C = 100A, R g = 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 125O C

155

ns

T R

یوکسلیش واختی

29

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

440

ns

T F

پاييز زاماني

61

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.02

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

5.83

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =400V,I C = 100A, R g = 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 150O C

161

ns

T R

یوکسلیش واختی

30

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

462

ns

T F

پاييز زاماني

66

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.24

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

6.49

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs،V ژئروژنیک =15V،

T J =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =75A،V ژئروژنیک =0V,T J =25 O C

1.70

2.15

V

I F =75A،V ژئروژنیک =0V,T J = 125O C

1.65

I F =75A،V ژئروژنیک =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

آلدیغی باج

V R =400V,I F =75A،

-di/dt=3500A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J =25 O C

8.7

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

122

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

2.91

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =400V,I F =75A،

-di/dt=3500A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J = 125O C

17.2

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

143

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

5.72

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =400V,I F =75A،

-di/dt=3500A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J = 150O C

19.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

152

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

6.30

mJ

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C = 100A,V ژئروژنیک = 15 ولت T J =25 O C

1.45

1.90

V

I C = 100A,V ژئروژنیک = 15 ولت T J =125 O C

1.60

I C = 100A,V ژئروژنیک = 15 ولت T J =150 O C

1.70

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C = 1.60mA,V CE =V ژئروژنیک , T J =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T J =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

2.0

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz,

V ژئروژنیک =0V

11.6

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.23

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =- 15…+15V

0.69

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =400V,I C = 100A, R g =3.3Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 O C

44

ns

T R

یوکسلیش واختی

20

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

200

ns

T F

پاييز زاماني

28

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

1.48

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

2.48

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =400V,I C = 100A, R g =3.3Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 125O C

48

ns

T R

یوکسلیش واختی

24

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

216

ns

T F

پاييز زاماني

40

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.24

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

3.28

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =400V,I C = 100A, R g =3.3Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 150O C

52

ns

T R

یوکسلیش واختی

24

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

224

ns

T F

پاييز زاماني

48

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

2.64

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

3.68

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤6μs,V ژئروژنیک = 15 ولت

T J =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650V

500

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F = 100A,V ژئروژنیک =0V,T J =25 O C

1.55

2.00

V

I F = 100A,V ژئروژنیک =0V,T J = 125O C

1.50

I F = 100A,V ژئروژنیک =0V,T J = 150O C

1.45

Q R

آلدیغی باج

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J =25 O C

3.57

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

99

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

1.04

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J = 125O C

6.49

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

110

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

1.70

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J = 150O C

7.04

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

110

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

1.81

mJ

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

R 25

نومره لی مقاومت

5.0

kΩ

ΔR/R

انحراف of R 100

T C = 100 O C،R 100=493.3Ω

-5

5

%

p 25

Güc

dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

R thJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Əhatə-nə-Şəxsiyət (hər D1,D4 Dio üçün) de)

Əhatə-nə-Şəxsiyət (hər T2 üçün) T3 IGBT)

Əhtəlat-Çatı (D2,D3 Dio ilə uyğun olaraq de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر T1,T4 IGBT)

Çatı-Isıqlaşdırıcıya (D1,D4 ilə uyğun olaraq DIODE)

قاب-تا-تزنج (هر T2,T3 IGBT)

Çatı-Isıqlaşdırıcıya (D2,D3 ilə uyğun olaraq DIODE)

قاب-تا-تزنج (هر ماژول)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Hər Bir Qapmaçada Təyin Edilən Güç

40

80

N

g

Çəki of Modul

39

g