IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

GD200MLT120C2S

Birliklər

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ @ T J =25 °C

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ @ T J =25 °C

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

360

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1 ms

400

A

p tot

Ümumi güc dissipation @ T J =175 °C

1163

W

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V (BR )CES

جمع ائدن-صادر ائدن

Bozulma Cihaz Gerilməsi

T J =25 °C

1200

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T J =25 °C

5.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 °C

400

NA

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =8.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =125 °C

2.00

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =3.6Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 °C

248

ns

T R

یوکسلیش واختی

88

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

540

ns

T F

پاييز زاماني

131

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

9.85

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

22.8

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =3.6Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 125°C

298

ns

T R

یوکسلیش واختی

99

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

645

ns

T F

پاييز زاماني

178

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

15.1

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

34.9

mJ

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz,

V ژئروژنیک =0V

14.4

nF

C اوْ

خروجی ظرفیت

0.75

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.65

nF

Q g

قاپی باج

V CC =600V،I C =200A, V ژئروژنیک =-15 ﹍+15V

1.90

μC

R گئنت

داخلی قاپی مقاومتی

3.8

Ω

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs،V ژئروژنیک =15 V,

T J =125 ℃,V CC =900V، V CEM ≤1200V

800

A

سیمبول

Təsvir

GD200MLT120C2S

Birliklər

V RRM

Təkrarlanan zirvə revers voltaj @ T J =25 °C

1200

V

I F

DC İlgili Cari T C =8 0°C

200

A

I FRM

Təkrarlanan Pik İrəliləyici Cərəyan t p =1ms

400

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =200A

T J =25 °C

1.65

2.10

V

T J =125 °C

1.65

Q R

آلدیغی باج

I F =200A,

V R =600V،

R g =3.6Ω،

V ژئروژنیک =-15V

T J =25 °C

20.0

μC

T J =125 °C

26.1

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

T J =25 °C

151

A

T J =125 °C

190

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

T J =25 °C

9.20

mJ

T J =125 °C

17.1

سیمبول

Təsvir

GD200MLT120C2S

Birliklər

V RRM

Təkrarlanan zirvə revers voltaj @ T J =25 °C

1200

V

I F

DC İlgili Cari T C =8 0°C

200

A

I FRM

Təkrarlanan Pik İrəliləyici Cərəyan t p =1ms

400

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =200A,

V ژئروژنیک =0V

T J =25 °C

1.65

2.10

V

T J =125 °C

1.65

Q R

آلدیغی باج

I F =200A,

V R =600V،

R g =3.6Ω،

V ژئروژنیک =-15V

T J =25 °C

20.0

μC

T J =125 °C

26.1

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

T J =25 °C

151

A

T J =125 °C

190

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

T J =25 °C

9.20

mJ

T J =125 °C

17.1

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V ISO

İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

R θ JC

Qoşmaq-Şəxsiyət (IGBT T1 T2 T3 T4 üçün) Qoşmaq-Şəxsiyət (D1 D2 D3 diodları üçün) D4) Qoşmaq-Şəxsiyət (D5 diod üçün) D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

R θ CS

قاشق-بؤیوک لئیک (Conductive grease app) یالانچی

0.035

K/W

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

°C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40

150

T STG

yaddaş temperaturu Məsafə

-40

125

°C

Quraşdırma Dövşər küçü

د پاور ترمینال پیچ:M6

قایناغی:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

Çəki

Çəki Modul

340

g