IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±30

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 °C

@ T C =100 °C

330

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق J =17 5°C

1103

W

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک Cu اجاره

200

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

400

A

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

°C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

°C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

°C

V ISO

İzolyasiya Voltajı RMS, f=50Hz,t =1 دقیقه

4000

V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =125 °C

1.95

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =150 °C

2.00

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =8.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T J =25 °C

5.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 °C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

1.0

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =30V,f=1MHz,

V ژئروژنیک =0V

18.2

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.56

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =15V

1.20

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =3.0Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 °C

213

ns

T R

یوکسلیش واختی

64

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

280

ns

T F

پاييز زاماني

180

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

4.10

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

16.3

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =3.0Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =125 °C

285

ns

T R

یوکسلیش واختی

78

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

363

ns

T F

پاييز زاماني

278

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

7.40

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

23.0

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =3.0Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =150 °C

293

ns

T R

یوکسلیش واختی

81

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

374

ns

T F

پاييز زاماني

327

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

8.70

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

25.2

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs V ژئروژنیک =15V،

T J =150 °C ,V CC =900V، V CEM ≤1200V

800

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I C =200A,V ژئروژنیک =0V,T J =25 °C

2.15

2.55

V

I C =200A,V ژئروژنیک =0V,T J =125 °C

2.20

I C =200A,V ژئروژنیک =0V,T J =150 °C

2.15

Q R

یئنی دن یارانمیش

Şarj

V R =600V،I F =200A,

R g =3.0Ω, V ژئروژنیک =-15V

T J =25 °C

16.2

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

169

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

10.2

mJ

Q R

یئنی دن یارانمیش

Şarj

V R =600V،I F =200A,

R g =3.0Ω, V ژئروژنیک =-15V

T J =125 °C

24.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

204

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

16.2

mJ

Q R

یئنی دن یارانمیش

Şarj

V R =600V،I F =200A,

R g =3.0Ω, V ژئروژنیک =-15V

T J =150 °C

31.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

222

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

19.4

mJ

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

26

nH

R CC+EE

ماژول رهبري مقاومت nce, Kontakt ünvanı və Chip

0.62

mΩ

R thJC

گئنیشلیک (IGB) T)

گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد)

0.136

0.194

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT)

Kasa-İstilik Sinkinə (hər Diod üçün)

Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)

0.156

0.223

0.046

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M5 تورک مونتاژ مچرو M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Çəki of Modul

200

g