Bütün kateqoriyalar

IGBT Modulu 1200V

IGBT Modulu 1200V

Ana səhifə /  Məhsullar /  IGBT ماژول /  IGBT Modulu 1200V

GD200HFT120C1S_G8,IGBT Modulu,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFT120C1S_G8
  • Giriş
  • Kontur
  • Ekvivalent Dairə Şeması
Giriş

Qısa giriş

IGBT ماژول ,STARPOWER tərəfindən istehsal edilib. 1200V 200A.

Xüsusiyyətləri

  • آز VCE (sat) Trench IGBT تکنولوژی
  • 10μs قیسا دایره قابیلیتی
  • VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
  • اوْلان یئرین ان چوخ تئمپراتورو 175oC دیر.
  • آز ایندوکتانسلی قاب
  • سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
  • DBC تکنولوژئسی ایله ایزولاسیون ائدیلن بورونج اساس صفحه

تطبيقات نموذجي

  • موتور حرکت اوچون اینورتر
  • AC و DC سروپروپریو تقویت کننده
  • Əməliyyatsız elektrik təchizatı

مطلق maksimum درجه بندي T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

IGBT

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±30

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C

@ T C =85 O C

285

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق =175 O C

882

W

دیود

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک قیر اجاره

200

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

400

A

Modul

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

yaddaş temperaturu Məsafə

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

IGBT Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =125 O C

1.95

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =150 O C

2.00

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =8.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 O C

5.0

5.9

6.5

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T J =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 O C

200

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

2.0

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =30V,f=1MHz,

V ژئروژنیک =0V

17.0

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.55

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =-15...+15V

1.07

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g = 1.0Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 O C

296

ns

T R

یوکسلیش واختی

77

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

391

ns

T F

پاييز زاماني

172

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

4.25

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

16.2

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g = 1.0Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 125O C

272

ns

T R

یوکسلیش واختی

79

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

423

ns

T F

پاييز زاماني

232

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

6.45

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

22.6

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g = 1.0Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 150O C

254

ns

T R

یوکسلیش واختی

80

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

430

ns

T F

پاييز زاماني

280

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

8.30

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

24.3

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs،V ژئروژنیک =15V،

T J =150 O C,V CC =900V، V CEM ≤1200V

800

A

دیود Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J =25 O C

1.70

2.15

V

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J = 125O C

1.65

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =-15V T J =25 O C

18.5

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

240

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

8.10

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =-15V T J = 125O C

33.5

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

250

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

14.5

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =-15V T J = 150O C

38.5

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

260

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

16.0

mJ

Modul Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

30

nH

R CC+EE

Modul Başlanğıc Müqaviməti, Terminaldan Çipə

0.75

R thJC

گئنیشلیک (IGB) T)

گئچمه (د) یود)

0.170

0.280

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT)

ایشاره-دَییشدیر: دیود)

قاب-تا-تزنج (هر ماژول)

0.161

0.265

0.050

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M5 تورک مونتاژ مچرو M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Çəki of Modul

150

g

Kontur

Ekvivalent Dairə Şeması

Pulsuz Qiymət Alın

Təmsilçimiz tezliklə sizinlə əlaqə saxlayacaq.
Email
Adı
Şirkət Adı
Məlumat
0/1000

Əlaqəli məhsul

هئچ بیر محصول حاقّیندا سوروشوموز وار؟

Peşəkar satış qrupumuz sizin məsləhətləşmənizi gözləyir.
محصول لاری نین لیستینی ایزله یه بیلرسینیز و سئودینیز هر سوالی سوروشا بیلرسینیز.

Bir sitat alın

Pulsuz Qiymət Alın

Təmsilçimiz tezliklə sizinlə əlaqə saxlayacaq.
Email
Adı
Şirkət Adı
Məlumat
0/1000